In-situ Kontrolle molekülspezifischer Reaktionen bei der Abscheidung von InGaP-Quantentopf- und -Nanostrukturen in der metallorganischen Gasphasenepitaxie

Wachstum von InGaP auf unterschiedlicten substrten and ALS CLUSTER BZW.Teilchen in der气相MIT DEM der Verbeserung der Grizflächeneigenschaften异质外延Gewachsener Halbleiterstrukturen.我是Mittelpenkt，我是Zusammensetzung Bzw.der Strukturder衬底-OberfläChen für die Anordnung der at ome BZW.CLUSTER Während des Wachstum的化学家。德国索伦索沃尔模具标准-MOCVD-Abscheidung，也适用于SOG。原子层外延-外延(ALE)。InGaP固溶体化学制备了GaAs(100)-晶片，化学成分为van der Waals-SchichtgitterVerbindungen，Wie Gase-Substrten，以及Der-Gas相的非晶态。Wachstum-/UHV-Analyessystem MIT Folgenden Metroskopie(IR)，Raster-Tunes-Mikroskopie(STM)and Röntgen-PhotoElectrktronenSpektroskopie(XPS)。所有的方法都反映了各向异性(RAS)kombiniert，这是一种最好的方法，在那里我们可以在原位找到这样的东西。

Dieses Projekt untersucht das Wachstum von InGaP auf unterschiedlichen Substraten und als Cluster bzw. Teilchen in der Gasphase mit dem Ziel der Verbesserung der Grenzflächeneigenschaften hetero-epitaktisch gewachsener Halbleiterstrukturen. Im Mittelpunkt steht hierbei die Rolle der chemischen Zusammensetzung bzw. der Struktur der Substrat-Oberflächen für die Anordnung der Atome bzw. Cluster während des Wachstums. Hierbei sollen sowohl die Standard-MOCVD-Abscheidung, als auch der sog. Atomic Layer Epitaxy-Prozeß (ALE) verwendet werden. InGaP soll auf chemisch aktiven GaAs(100)-Wafern, chemisch nahezu inaktiven van der Waals-Schichtgitterverbindungen, wie GaSe-Substraten, und in der Gasphase abgeschieden werden. Die Proben können in einem integrierten Wachstums-/UHV-Analysesystem mit folgenden Methoden untersucht werden: Infrarot-Spektroskopie (IR), Raster-Tunnel-Mikroskopie (STM) und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS). Alle diese Methoden sollen mit ReflexionsAnisotropie-Spektroskopie (RAS) kombiniert werden, die als optische Methode nicht nur im UHV, sondern auch in situ in der Gasphasenumgebung des Reaktors eingesetzt werden kann.