Zweidimensionale physikalische Simulation von InP-basierten Single-(S-) und Double-(D-) Heterostruktur-Bipolartransistoren

本文介绍了一种新型的异构双极晶体管（HBT）与磷化铟（InP）相结合的物理模拟方法。Hierbei sollen阿莱relevanten Technologieeffekte是不是那些死Verarmung弗雷Oberflachen, atzprozessbedingte Verengung冯Stromkanalen和Temperatureffekte berucksichtigt了。Ziel des projetes清单，系统的bauelementstruturen的发现，死亡的世界，在贝格贝格和横向的所有难题。德斯·希特设计了最优的sint。Die gewonnenen Erkenntnisse sollen als allgemeing<s:1>设计规则（Design-Rules） zur Herstellung von höchstfrequenztauglichen hts dienen。ausgefhrt werden alle simulationstechnischen Untersuchungen mit hilife eines kommerziell erhältlichen Software-Paketes， bedem die freliii - v - halbleiter相关物理模型参数erarbeitet werden mssen， so dasß die erzielten simulationsergeniisse mit Meßergebnissen von realen Bauelementen <e:1> bereinmmen。

Im Rahmen dieses Forschungsvorhabens sollen Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBT) auf Indiumphosphid (InP) mit Hilfe eines physikalischen zweidimensionalen Bauelementsimulationsprogramms untersucht werden. Hierbei sollen alle relevanten Technologieeffekte wie beispielsweise die Verarmung freier Oberflächen, ätzprozessbedingte Verengung von Stromkanälen sowie Temperatureffekte berücksichtigt werden. Ziel des Projektes ist es, systematisch Bauelementstrukturen zu finden, die sowohl in bezug auf das laterale als auch bzgl. des Schichtdesigns optimiert sind. Die gewonnenen Erkenntnisse sollen als allgemeingültige Entwurfsgrundlage (Design-Rules) zur Herstellung von höchstfrequenztauglichen HBTs dienen. Ausgeführt werden alle simulationstechnischen Untersuchungen mit Hilfe eines kommerziell erhältlichen Software-Paketes, bei dem die für III-V-Halbleiter relevanten physikalischen Modellparameter erarbeitet werden müssen, so daß die erzielten Simulationsergebnisse mit Meßergebnissen von realen Bauelementen übereinstimmen.