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Aufbau und Charakterisierung von Feldeffekt-Transistoren aus chemisch modifizierten Kohlenstoff-Nanoröhren

Aufbau und Charakterisierung von Feldeffekt-Transistoren aus chemisch modifizierten Kohlenstoff-Nanoröhren
化学改性碳纳米管场效应晶体管的构建和表征
批准号:
5304842
负责人:
Dr. Marko Klaus Burghard
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Priority Programmes
财政年份:
2001
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2000-12-31 至 2007-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
齐尔是项目的创建者冯·费尔德菲尔德夫特-晶体管,德伦哈布利特的Kanal Aus einer dünnnen Schicht eines Hybridge Material MIT elektrisch aktiver,组织者Komponente besteht。您好,索伦·兹维,他将继续为您服务。Zum einen是一种地质植物,Dünschichten Aus einem Kohlenstoff-Nanoröhren/聚合物-Verbund zu verwenden。我们对纳米材料的化学结构进行了修饰,并对其进行了化学修饰,使其在基质中的同质性很好。ALS Zweites杂化材料是Dünne Netzwerke Aus V2O5(V2O5)-Fibrillen,Deren Oberfläche MIT einem leitfähigen Organchen Polmer Belegt,Untersuht。在拜登的现代材料工厂里,我们看到了一种新的技术,那就是利用模板技术从聚合物中分离出更多的聚合物。在ABHänGigkeit中的Elektrische Messungen看到了栅势Sollen die Mobilität der Ladungsträger以及温度函数Liefern。电子材料和电子材料的最优选择。在此基础上,我们将为您提供更多的服务。
英文摘要
Ziel dieses Projekts ist die Entwicklung von Feldeffekt-Transistoren, deren halbleitender Kanal aus einer dünnen Schicht eines Hybridmaterials mit elektrisch aktiver, organischer Komponente besteht. Hierfür sollen zwei unterschiedliche Hybridsysteme zum Einsatz kommen. Zum einen ist geplant, Dünnschichten aus einem Kohlenstoff-Nanoröhren/Polymer-Verbund zu verwenden. Mittels chemischer Modifikation der Nanoröhren sollen Proben hergestellt werden, die ausschließlich aus halbleitenden Röhren bestehen, welche homogen in der Matrix aus einem isolierenden Polymer verteilt vorliegen. Als zweites Hybridmaterial werden dünne Netzwerke aus Vanadiumpentoxid (V2O5)-Fibrillen, deren Oberfläche mit einem leitfähigen organischen Polymer belegt ist, untersucht. In beiden Hybridmaterialien wird auf eine hohe Leitfähigkeit entlang von Pfaden möglichst hoher molekularer Ordnung abgezielt, welche auf dem regelmäßigen Kohlenstoffgitter der Nanoröhren bzw. der (V2O5)-Templat gestützten Abscheidung des leitfähigen Polymers beruhen. Elektrische Messungen in Abhängigkeit eines Gate-Potentials sollen die Mobilität der Ladungsträger als Funktion der Temperatur liefern. Die elektrischen Kontakte sollen hinsichtlich der Elektrodenmaterials und der Kontaktanordnung optimiert werden. Begleitend zur elektrischen Charakterisierung soll die mikroskopische Struktur dieser Dünnschichten mit Rastersondenverfahren geklärt werden.
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