Quantitative transmissionselektronenmikroskopische Analyse von Zusammensetzungsfluktuationen in InGaN: Ursachen und Korrelation mit Photolumineszenz

Aufgrund ihrer potentiell großen Bedeutung fr lichtemittienende Bauelemente sollen die Ursachen和Verhalten von kleinskaligen的Fluktuationen的Zusammensetzung的Abmessungen von wenigen纳米材料的分析在allen InGaN- schichten的herunter zu sehr niedrigen mitteren - konzentrationen的6% bebacachtet wurden。Neben相分离的研究进展[j]， [j], [j], [j], [j]。Durch hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie analytelen sollen lokale and verspannten, unverspannten and wärmebehandelten InGaN-Schichten gemessen and dadurch Hinweise gewonnen werden, welcher Effekt tatsächlich dominiert。结构与化学特征特征的相关性[j] .光敏材料与材料工程。In einem weiteren Teil des projects soll die Stärke and verilung des piezoelektrischen Feldes In InGaN-Quantentrögen durch die rekonstruction der Phase der elektronenwellenfunction mit der elektronenholography abgebildet werden。

Aufgrund ihrer potentiell großen Bedeutung für lichtemittierende Bauelemente sollen die Ursachen und das Verhalten von kleinskaligen Fluktuationen der Zusammensetzung von InGaN mit Abmessungen von wenigen Nanometern untersucht werden, die in unseren bisherigen Analysen in allen InGaN-Schichten bis herunter zu sehr niedrigen mittleren In-Konzentrationen von 6 % beobachtet wurden. Neben Phasenseparation werden in der Literatur zwei weitere Ursachen für kleinskalige Inhomogenitäten der In-Konzentration vorgeschlagen. Durch hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie Analysen sollen lokale und gemittelte In-Konzentrationen an verspannten, unverspannten und wärmebehandelten InGaN-Schichten gemessen und dadurch Hinweise gewonnen werden, welcher Effekt tatsächlich dominiert. Die Korrelation der strukturellen und chemischen Eigenschaften mit der Photolumineszenz ist wesentlicher Bestandteil des Projekts. In einem weiteren Teil des Projekts soll die Stärke und Verteilung des piezoelektrischen Feldes in InGaN-Quantentrögen durch die Rekonstruktion der Phase der Elektronenwellenfunktion mit der Elektronenholographie abgebildet werden.