Quantitative transmissionselektronenmikroskopische Analyse der chemischen Zusammensetzung und Morphologie von Nanostrukturen aus II/VI-Verbindungshalbleitern

II/VI化合物半导体纳米结构化学成分和形貌的定量透射电子显微镜分析

• 批准号: 5136686
• 负责人: Professorin Dr. Dagmar Gerthsen
• 金额: --
• 依托单位: Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1997-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5136686?language=en
• 关键词: Quantitative; transmissionselektronenmikroskopische; Analyse; der; chemischen

Im Rahmen des Projekts sollen die strukturellen Eigenschaften, Cd-Konzentration und Cd-Verteilung von CdSe/ZnSe-Quantenpunktstrukturen mit Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) auf atomarer Skala untersucht und mit den optischen Eigenschaften korreliert werden. CdSe/ZnSe-Quantenpunktstrukturen unterscheiden sich trotz nahezu identischer Gitterfehlanpassung deutlich von InAs/GaAs-Quantenpunktstrukturen, bei denen die Bildung von Inseln (Quantenpunkten) durch den Stranski-Krastanow Wachstumsmodus erfolgt. Im Gegensatz dazu beobachtet man bei CdSe/ZnSe bei nominellen CdSe-Schichtdicken zwischen 0.5 ML und 3.5 ML unabhängig vom Epitaxieverfahren und den CdSe-Wachstumsbedingungen immer eine stark verbreiterte ternäre CdZnSe-Schicht, in die Cd-reiche Bereiche mit lateralen Abmessungen von weniger als 10 nm (Quantenpunkte) eingebettet sind. Die Bildung von Inseln erfolgt also bereits weit unterhalb der kritischen Schichtdicke für den Übergang vom zwei- zum dreidimensionalen Wachstum (bei ca. 2 bis 3 ML). Ab ca. 2.5 ML CdSe bilden sich bereits Defekte (Stapelfehlerpaare), die für die Anwendung in lichtemittierenden Bauelementen äußerst unerwünscht sind. Im vorliegenden Fortsetzungsantrag sollen insbesondere die Mechanismen der Schichtverbreiterung (Segregation/Interdiffusion), der Einfluß der Bedingungen des Überwachsens mit ZnSe auf die Struktur und Cd-Verteilung, die Ursache für die Bildung der kleinen Inseln bei sehr geringen CdSe Mengen und die Mechanismen der Bildung der Stapelfehlerpaare durch Probenserien mit systematisch variierten Wachstumsparametern geklärt werden.

Im Rahman des Projekts Sollen die strukturellen Eigenschaften，CD-Konzentation and CD-Verteilung von Cd Se/ZnSe-Quantpenktstrukturen MIT Transmitsionselektronenmikroskopie(TEM)auf原子化器Skala untersuht ht MIT den optischen Eigenschaften korreliert den optischen Eigenschaften korreliert。CdSe/ZnSe-Quantpenktstrukturen不同于Gitterfehlanpassung deutlich von InAs/GaAs-Quantpenktstrukturen，Been denen die Bildung von Inseln(Qutenpenkten)dch den STranski-Krastanow Wachstummodus Folgt.我是Gegensatz dazu beobachtet man bebeCdSe/ZnSe beNominellen cdSe-Schichtdicken zwitchen 0.5ML and 3.5ML unabhängig vom Ep etaxieverfahren den CDSe-Wachstumsbedding eine eine stumumein eine stark verbreiterteäre cdzSe-Schicht，in die CD-Reiche Bereiche MIT lateralen AbMessungen von Weiger ALS 10 nm(Quantenpkte)eingebettedingebettteind.另一种情况是，它的重量不超过Schichtdicke für denäbergang vom zwei-zum dreiDimsionalen Wachstum(Be约2BI3ML)。约2.5毫升的硫化镉(Stapelfehlerpaare)，在Lithtemittierenden Bauelementenäuüerst unerwünscht sind.我是Schichtverbreterung(隔离/互扩散)的模具机械，De Efluüder der Bedingungen desäberwachsens MIT ZSe auf die StrukTurn and CD-Verteilung，die Ursache für die Bildung der Kleinen Inseln be sehr geringen cd sehr geringen cd Se Mengen and Mengerpawers der Fordung der Stapelfehlerpaerpaare Wachstainen MIT系统的各种参数。