Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen

在6 H-SiC衬底上的AlGaN、GaN、InGaN材料体系的基础上，采用MBE方法制备了具有良好异质结构的韦尔登材料。本文主要研究平面异质结场效应晶体管的异质结优化问题。Besonderes Augenmerk gilt dem Einfluenza eingebauter Pollutionsfelder，auch in Verbindung mit Oberflächenzuständen. In Rahmen der Schichtoptimierung soll vor allem ein Verständnis der Entmischung in InGaN erzielt韦尔登.这也是我们韦尔登的内在联系、形态学和认识的基础。Neben den Standard-Charakterisierungsmethoden für Schichten wird die Optimierung für Bauelementanwendung andeiner RundHEMT-Struktur durchgeführt. Das RundHEMT Konzept gestattet die DC-Charakterisierung einer HEMT Struktur ohne größeren technologischen Aufwand.另一个结构是高频特性的植入。因此，ISI的MBE-Schichtsystemen也可用于Fa的MOCVD-Schichten。AIXTRON zum Vergleich herangezogen韦尔登。

In dem geplanten Vorhaben sollen Heterostrukturen auf der Basis von AlGaN, GaN, InGaN Materialsystemen auf 6H-SiC Substraten mittels MBE hergestellt und untersucht werden. Hauptziele sind die Optimierung der Heterostrukturen im Hinblick auf planare Heterostruktur-Feld-Effekt Transistor-Anwendungen. Besonderes Augenmerk gilt dem Einfluß eingebauter Polarisationsfelder, auch in Verbindung mit Oberflächenzuständen. Im Rahmen der Schichtoptimierung soll vor allem ein Verständnis der Entmischung in InGaN erzielt werden. Hierbei soll auch die Korrelation zwischen Entmischung, Schichtmorphologie und Verspannungszustand untersucht werden. Neben den Standard-Charakterisierungsmethoden für Schichten wird die Optimierung für Bauelementanwendung anhand einer RundHEMT-Struktur durchgeführt. Das RundHEMT Konzept gestattet die DC-Charakterisierung einer HEMTStruktur ohne größeren technologischen Aufwand. An ausgewählten Strukturen ist weiterhin die HF-Charakterisierung geplant. Zusätzlich zu den im ISI hergestellten MBE-Schichtsystemen sollen auch MOCVD-Schichten der Fa. AIXTRON zum Vergleich herangezogen werden.