Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen

点击翻译按钮获取中文摘要

In dem geplanten Vorhaben sollen Heterostrukturen auf der Basis von AlGaN, GaN, InGaN Materialsystemen auf 6H-SiC Substraten mittels MBE hergestellt und untersucht werden. Hauptziele sind die Optimierung der Heterostrukturen im Hinblick auf planare Heterostruktur-Feld-Effekt Transistor-Anwendungen. Besonderes Augenmerk gilt dem Einfluß eingebauter Polarisationsfelder, auch in Verbindung mit Oberflächenzuständen. Im Rahmen der Schichtoptimierung soll vor allem ein Verständnis der Entmischung in InGaN erzielt werden. Hierbei soll auch die Korrelation zwischen Entmischung, Schichtmorphologie und Verspannungszustand untersucht werden. Neben den Standard-Charakterisierungsmethoden für Schichten wird die Optimierung für Bauelementanwendung anhand einer RundHEMT-Struktur durchgeführt. Das RundHEMT Konzept gestattet die DC-Charakterisierung einer HEMTStruktur ohne größeren technologischen Aufwand. An ausgewählten Strukturen ist weiterhin die HF-Charakterisierung geplant. Zusätzlich zu den im ISI hergestellten MBE-Schichtsystemen sollen auch MOCVD-Schichten der Fa. AIXTRON zum Vergleich herangezogen werden.