Metallische Nanostrukturen auf Silizium-Einkristalloberflächen

as von uns entwickelte Verfahren der lokalisierten电沉积soll zur Präparation metallischer， insbesonere pb - nanostructuren auf n-Si(111)- einkristallsubstrate benutzwerden。Hierzu sollen die Voraussetzungen f<e:1> r die sauerstofffreie Präparation der n-Si(111)-Oberfläche als Ausgangsbasis f<e:1> r die lokalisierte Abscheidung durch Aufbau einer "Glove box" geschaffen werden, die sowohl die sauerstofffreie Präparation als auch den Transfer and die Immersion der Substrate in die deererierte elekchemische Zelle in sauerstofffreier Atmosphäre erlaubt。Die Präparation metallischer nanostructuren mit unserem Verfahren erscheint unproblematisch, falls das Nernstpotential des Metallsystems negative als das Flachbandpotential der verwendeten n-Si(111)-Substrate ist. ...Sämtliche Untersuchungen werden in situ unterschluß von Sauerstoff durchgef<s:1> hrt。Die mögliche纳米结构的稳定性研究，纳米结构与晶体结构研究hochaufgelösten rastertunnelmikroskopmessungen aufgeklärt werden。1 .研究了金属材料的化学特性，并对金属材料的化学特性进行了分析，得出了金属材料的化学特性和化学特性。

Das von uns entwickelte Verfahren der lokalisierten Elektrodeposition soll zur Präparation metallischer, insbesondere Pb-Nanostrukturen auf n-Si(111)-Einkristallsubstraten benutzt werden. Hierzu sollen die Voraussetzungen für die sauerstofffreie Präparation der n-Si(111)-Oberfläche als Ausgangsbasis für die lokalisierte Abscheidung durch Aufbau einer "Glove box" geschaffen werden, die sowohl die sauerstofffreie Präparation als auch den Transfer und die Immersion der Substrate in die deaerierte elektrochemische Zelle in sauerstofffreier Atmosphäre erlaubt. Die Präparation metallischer Nanostrukturen mit unserem Verfahren erscheint unproblematisch, falls das Nernstpotential des Metallsystems negativer als das Flachbandpotential der verwendeten n-Si(111)-Substrate ist. ... Sämtliche Untersuchungen werden in situ unter Ausschluß von Sauerstoff durchgeführt. Die mögliche Stabilisierung der Nanostrukturen durch Anionen soll durch Austausch der verwendeten Anionen, Legierungsbildung und kristallographische Struktur sollen mit hochaufgelösten Rastertunnelmikroskop-Messungen aufgeklärt werden. Erste dc-Charakterisierungen sollen an den durch die Abscheidung von Metallclustern entstehenden Metall-Halbleiter-Kontakten durchgeführt, sowie an abgeschiedenen "Drähten" erste dc-Kennlinien bei Raumtemperatur gemessen werden.