Simulation of deposition processes for sputtered layer systems by molecular dynamics

研究领域是一种基于分子动力学方法的数学模拟系统的开发。Sie soll zur direkten Korrelierung atomistischer und prozessrelevanter Kenngrößen mit bestimmbaren mesoskopischen Schichteigenschaften führen. Fokus的工作重点是过程和材料数据的处理。Schichtwachstums的新型分子动力学模型用于与原子Wechselfenkungen相关的分子动力学输入参数，与Teilchenströme、能量和过程相关的Kenngrößen-材料-和与Gitterfehlpassung、Gitterrelaxation、Eigenspannungen和Adhäsion相关的Kenngrößen工程。通过分子动力学模拟可以获得韦尔登数据，用于描述一个实际的飞行器飞行过程。Längerfristiges Ziel is es，die molekulardynamische Simulation für das gezielte Schichtengtengten zu nutzen.

Ziel des Forschungsvorhabens ist die Entwicklung eines umfassenden Simulationswerkzeuges zur Beschreibung des Abscheideprozesses von gesputterten Schichtsystemen auf Basis der Molekulardynamik-Methode. Sie soll zur direkten Korrelierung atomistischer und prozessrelevanter Kenngrößen mit bestimmbaren mesoskopischen Schichteigenschaften führen. Der Fokus dieses Werkzeuges liegt auf der Berechnung der Prozess- und Materialdaten. Das zu entwickelnde molekulardynamische Modell des Schichtwachstums verknüpft die - für die Molekulardynamik relevanten Inputparameter wie atomare Wechselwirkungen, - prozessrelevanten Kenngrößen wie Teilchenströme, Energiedichten und Prozesstemperaturen sowie - material- und ingenieurwissenschaftlich relevanten Kenngrößen wie Gitterfehlpassung, Gitterrelaxation, Eigenspannungen und Adhäsion. Die aus der molekulardynamischen Simulation gewonnenen Daten werden zur Schematisierung des Schichtwachstumsprozesses eingesetzt und mit den realen Messergebnissen abgeglichen. Längerfristiges Ziel ist es, die molekulardynamische Simulation für das gezielte Schichtengineering zu nutzen.