Herstellung und Untersuchung von elektrisch betriebenen AlGaN/GaN/GaInN-DFB-Laserstrukturen
Herstellung und Untersuchung von elektrisch betriebenen AlGaN/GaN/GaInN-DFB-Laserstrukturen
批准号:
5372507
负责人:
Professor Dr. Heinz Schweizer
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Priority Programmes
财政年份:
1997
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1996-12-31 至 2001-12-31
中文摘要
AlGaN/GaN/GaInN材料系统中法布里-珀罗激光器的实现是对衬底材料选择的一个重要影响。激光器采用了先进的技术,通过DFB-Gitter实现了照明。我的研究工作需要光学泵浦的DFB激光器和Gittern 2。秩序的实现和特点。基于此,我们可以在DFB-1激光器上进行电子泵浦。和2.整理好韦尔登。大足的垂直结构设计是利用激光束韦尔登的电耦合模型进行实验研究的基础。Der Herstellungsprozezeummuchauf Gitter 1.将80 nm的Gitterperioden置于韦尔登中。激光器的设计和工艺必须通过光学和电学测量,如亮度测量、线性测量、宽谱测量和韦尔登测量。
英文摘要
Die Realisierung von Fabry-Perot-Lasern im Materialsystem AlGaN/GaN/GaInN ist infolge der schlechten Spaltbarkeit der gängigen Substrate erschwert. Laser mit verteilter Rückkopplung bieten hier einen großen technologischen Vorteil, da die Lichtrückkopplung durch das DFB-Gitter erfolgt. Im auslaufenden Forschungsvorhaben wurden bereits optisch gepumpte DFB-Laser mit Gittern 2. Ordnung realisiert und charakterisiert. Basierend auf den erarbeiteten Ergebnissen sollen nun elektrisch gepumpte DFB-Laser 1. und 2. Ordnung hergestellt und untersucht werden. Dazu muß das Design der Vertikalstruktur entsprechend den experimentellen Ergebnissen des laufenden Forschungsvorhabens und mit Hilfe von Modellrechnungen auf elektrisch betriebene Laser weiterentwickelt werden. Der Herstellungsprozeß muß auf Gitter 1. Ordnung mit Gitterperioden um 80 nm erweitert werden. Das Laserdesign und die Prozeßführung sollen dabei durch optische und elektrische Messungen wie Lumineszenzausbeute, Kennlinienmessungen, Bestimmung der Serienwiderstände und Messung der Quantenausbeute kontrolliert werden.
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会议论文
Investigation of a stacking process of periodic dielectric and metallic nanometer structures to realize a photonic crystal structure with pseudo negative refractive index materials (PsNIM) and with negative index materials (NIM)
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批准号:5451307
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2005
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负责人:Professor Dr. Heinz Schweizer
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依托单位:
Gate recessed GaN highpower FETs
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批准号:5306608
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2001
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负责人:Professor Dr. Heinz Schweizer
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依托单位:
Lateral gekoppelte DFB-Mehrsegment-Laserdioden und -Filter für Frequenzmodulation und -multiplex
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批准号:5298079
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2001
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负责人:Professor Dr. Heinz Schweizer
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依托单位:
Untersuchung und Realisierung von organischen Nanostruktur-Feldeffekttransistoren
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批准号:5304666
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2001
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负责人:Professor Dr. Heinz Schweizer
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依托单位:
Optimierung der Bragg-Spiegel von Vertikallaserdioden mittels In-Situ Reflexionsmessungen während des epitaktischen Wachstums für VCSEL mit hoher Modulationsbandbreite
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批准号:5096612
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1998
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负责人:Professor Dr. Heinz Schweizer
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依托单位:
海外基金