Selektive Kristallisation aus Lösungsmitteltröpfchen auf amorphe Unterlage

在无定形衬底上形成的硅-石英晶体的主要成分是硅-石英晶体，它可以在韦尔登研究项目中得到应用。Es gelang，die hierfür von uns vorgeschlagene，neuartige Züchtungsmethode experimentell im masßstab umzusetzen.本文的研究目的是为了优化设计方法，并对韦尔登的能量和物质输送的理论进行验证。Schwerpunkt bleibt die Materialkcombination Silicium auf Glas，weil sich hierfür eine Reihe von technischen Anwendungen abzeichnet. Da wegen des Fehlens eines kristallographischen Gitters der Unterlage kein epitaktisches Verwachsen von Substrat und存款möglich ist，韦尔登zunächst punktuell gut plentende，texturierte Depositkristallite erzeugt. Die als Keimzentren fungierenden Kristallite sollen in zukünftigen Experimenten epitaktisch zu schichtartigen Strukturen auswachsen. Um in einfacher Weise ohne fotolithograftic he Strukturierung，Keimbildung an bevorzugten Stellen zu ermöglichen，wird das natürliche Koaleszensverhalten dünner Metallfilme bei Temperaturen oberhalb ihres Schmelzpunktes ausgenutzt.由于气相中的硅被氧化成金属，因此在没有温度的情况下，玻璃化温度是最高的。在温度梯度条件下，Kristallite的Wachstum随VLS的变化而变化，它是通过实现Probenvorderseite的Strahlungsheizung和Rückseite的Kühlung来实现的。

Die prinzipielle Möglichkeit, Silicium-Kristallite hoher Perfektion an definierten Stellen auf einem amorphen Substrat aufzuwachsen, konnte im Rahmen des bisherigen DFG-Forschungsprojektes nachgewiesen werden. Es gelang, die hierfür von uns vorgeschlagene, neuartige Züchtungsmethode experimentell im Labormaßstab umzusetzen. Aufbauend auf diesen Ergebnissen soll an der Optimierung der Methode und an einer Vertiefung des theoretischen Verständnisses zur Keimbildung und zum Energie- und Materialtransport weiter gearbeitet werden. Schwerpunkt bleibt die Materialkombination Silicium auf Glas, weil sich hierfür eine Reihe von technischen Anwendungen abzeichnet. Da wegen des Fehlens eines kristallographischen Gitters der Unterlage kein epitaktisches Verwachsen von Substrat und Deposit möglich ist, werden zunächst punktuell gut haftende, texturierte Depositkristallite erzeugt. Die als Keimzentren fungierenden Kristallite sollen in zukünftigen Experimenten epitaktisch zu schichtartigen Strukturen auswachsen. Um in einfacher Weise ohne fotolithografische Strukturierung, Keimbildung an bevorzugten Stellen zu ermöglichen, wird das natürliche Koaleszensverhalten dünner Metallfilme bei Temperaturen oberhalb ihres Schmelzpunktes ausgenutzt. Für das aus der Gasphase aufzubringende Silicium sind die gebildeten Metalltröpfchen außerdem Lösungsmittel, so daß eine Züchtung bei niedrigen, glasverträglichen Temperaturen möglich ist. Das Wachstum der Kristallite erfolgt nach dem Vapour Liquid Solid-Mechanismus (VLS) in einem stationären Temperaturgradienten, hervorgerufen durch die realisierte Strahlungsheizung der Probenvorderseite und die Kühlung der Rückseite.