Lösungsmittelgenerierte Phasenumwandlung zur Erzeugung kristalliner Siliciumschichten

溶剂产生的相变产生晶体硅层

• 批准号: 198961434
• 负责人: Dr. Torsten Boeck
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2015-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/198961434?language=en
• 关键词: sungsmittelgenerierte; Phasenumwandlung; zur; Erzeugung; kristalliner

Im Rahmen dieses Projektes soll ein neuartiger Ansatz zur Erzeugung großkörniger mikrokristalliner Siliciumschichten auf amorphen Substraten untersucht werden. Zielsetzung ist es, zunächst kristalline Saatschichten mit Hilfe einer im IKZ vorgeschlagenen Methode zur lösungsmittelgenerierten Kristallisation auf Glas aufzubringen. Hierbei wird zum einen die Tatsache ausgenutzt, dass bei gleichen Zustandsbedingungen das chemische Potenzial der amorphen Modifikation eines Stoffes im Regelfall höher als das seiner kristallinen Phase ist. Zum anderen ermöglicht der Kontakt der amorphen Phase mit einem Metall ein Anlösen des amorphen Materials und nach dem Überschreiten der Sättigungskonzentration die Ausscheidung der thermodynamisch stabileren kristallinen Phase. Die so erzeugten Saatschichten sollen in einem zweiten Schritt ein epitaktisches Auswachsen zu einer großkörnigen polykristallinen Schicht mittels stationärer Lösungszüchtung bei niedriger Temperatur (600 °C) ermöglichen. Dazu kommt eine im IKZ entwickelte Laboranlage zum Einsatz. Neben dem Aufzeigen der prinzipiellen Machbarkeit der vorgeschlagenen Kristallzüchtungsmethode und der Erforschung der funktionellen Zusammenhänge zwischen den Versuchsparametern und den Züchtungsergebnissen ist die Untersuchung der Eignung verschiedener Metalle und Metalllegierungen als Lösungsmittel Ziel des Projektes.

Im Rahmen dieses Projektes soll ein neuartiger Anchor zur Erzeugung großkörniger mikrokristalliner Siliciumschichten auf amorphen Substraten untersucht韦尔登. Zielsetzung is es，zunächst kristalline Saatschichten mit Hilfe einer im IKZ vorgeschlagenen Methode zur lösungsmittelgenerierten Kristallisation auf Glas aufzubringen.因此，我们可以通过一个简单的纹身，来说明无定形物对Regelfall中的Stoffes进行化学修饰的可能性，因为它是一个结晶相。在非晶相与非晶材料的合金相结合的基础上，通过对非晶相稳定性的研究，确定了非晶相的最佳状态。Die so erzeugten Saatschichten sollen in einem zweiten Schritt ein epitaktisches Auswachsen zu einer greßkörnigen polykristallinen Schicht mittels stationärer Lösungszüchtung bei edriger Temperatur（600 °C）ermöglichen.大足在IKZ有一个很好的学习机会。本文介绍了在工程设计中，利用Vorgeschlagenen Kristallzüchtungsmethode的原理和功能Zusammenhänge zwischen den Versuchsparametern和den Züchtungsergebnissen的研究成果，对金属和金属的特性进行了研究。

项目成果

Solvent-induced growth of crystalline silicon on glass

玻璃上晶体硅的溶剂诱导生长

• DOI: 10.1109/pvsc.2012.6317630
• 发表时间: 2012
• 期刊: 2012 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
• 作者: Heimburger;Bansen;Markurt;Schmidtbauer;Teubner
• 通讯作者: Teubner

Solution Growth of Crystalline Si on Glass

玻璃上晶体硅的溶液生长

• DOI: 10.4229/eupvsec20142014-3dv.4.16
• 发表时间: 1911
• 作者: Bansen;Heimburger;Schmidtbauer;Teubner
• 通讯作者: Teubner

Crystalline silicon on glass by steady-state solution growth using indium as solvent

• DOI: 10.1007/s00339-015-9141-0
• 发表时间: 2015-04
• 期刊: Applied Physics A
• 作者: R. Bansen;R. Heimburger;J. Schmidtbauer;T. Teubner;T. Markurt;C. Ehlers;T. Boeck