The electron-phonon interaction resulting surface modification triggered by the low-energy highly-charged-ion
The electron-phonon interaction resulting surface modification triggered by the low-energy highly-charged-ion
批准号:
21510108
负责人:
NAKAGAWA Sachiko
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2011
中文摘要
低能高电荷态离子(HCI)在固体表面产生山丘,由于高电荷态离子的电子激发,形成台面状突起。我们的目标是弄清楚电子-声子相互作用在多大程度上可以解释广泛的目标材料的形成机制。靶原子协同反应的第一步可能是形成快声子,这在半金属和半导体中是已知的。这就是以原子面内运动为特征的光学声子。第二步是进入人机界面所产生的声学声子。这两种类型的连续声子可以通过低能量的HCI产生山丘,至少在半金属的情况下是这样。
英文摘要
The low-energy highly charged ion(HCI) produces hillocks on a solid surface, which are mesa-like protrusions as the result of electronic excitation due to HCI. Our aim has been to make it clear how generally the electron-phonon interaction can explain the formation mechanism, for a wide range of target materials. The first step of synergetic reaction of target atoms may be to form the fast phonon, which is already known in semimetal and semiconductor. This is the optical phonon where intraplane motion of atoms is characteristic. The second step is the acoustic phonon caused by the entering HCI. These two types of successive phonons may produce the hillocks by a low-energy HCI, at least in the case of a semimetal.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
分子動力学法による炭素薄膜中の電子的阻止能評価と温度効果
使用分子动力学方法和温度效应评估碳薄膜中的电子阻止本领
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Proc.of 11th Symposium on Accelerator and Related Technology for Application 11
影响因子:
--
作者:
[中川幸子, 酒井裕也]
通讯作者:
酒井裕也
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Suzuki, M.Okada, H.Mimura, Y.Inoue, S. T. Nakagawa]
通讯作者:
S. T. Nakagawa
低エネルギー高電離イオンによる表面ヒロック形成機構の解明
低能高电离离子阐明表面小丘形成机制
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中川幸子, H.J.Whitlow, G.Betz]
通讯作者:
G.Betz
クラスタービームによるアニーリング効果の検証
使用束束验证退火效果
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小山真弘, 中川幸子]
通讯作者:
中川幸子
分子ビームの固体内原子衝突(II)
固体中分子束的原子碰撞(二)
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[長尾初季, 神田, Betz, 中川幸子]
通讯作者:
中川幸子
共 58 条
海外基金