Spektroskopische Untersuchung zum Einbauverhalten des Stickstoffs in den ternären und quaternären Legierungssystemen GaAs1-xNx und InyGa1-yAs1-xNx

GaAs1-xNx和InyGa1-yAs1-xNx在Jüngster Zeit International groçe Beachtung gefunden ALS AusangsMaterial für Halbleiteraser im Wellenlängenbereich von 1.3 bis 1.55µm and für hocheffiziente Solarzellen。5%(x=0.05)的热化。从根本上来说，这是一种全新的生活方式，也是最好的选择。如果你不知道我的名字，我就不知道你是谁了。在这本书中，傅里叶变换红外吸收光谱分析是一种逻辑上的一种逻辑，它是一种特殊的信息，它是一种特殊的信息，是一种特殊的信息。在Kombination MIT DEM Ausheilverfahren进行了N，B和In的移植实验，并对其进行了特殊处理。在此基础上，我们将在施温贡和施蒂克斯通之间建立新的关系，以此来取代施文通和施蒂克斯通的关系。我是Zweiten Schritt Sollen Dann，在InGaAs-Schichten N-in-Komplexe erzeugt，um die N-in-Wechselwirkung zu analysieren and Aussagen zum mikroskopischen Einbauverhalten des Stickstoff im Quatern nären System Treffen zu können中植入von Stickstoff和Indium Sowie。

Die ternären und quaternären Legierungen GaAs1-xNx und InyGa1-yAs1-xNx haben in jüngster Zeit international große Beachtung gefunden als Ausgangsmaterial für Halbleiterlaser im Wellenlängenbereich von 1.3 bis 1.55 µm und für hocheffiziente Solarzellen. Die epitaktisch hergestellten Schichten können Stickstoff bis zu 5% (x=0.05) enthalten. Stickstoffeinbau führt zu einer starken Reduktion der fundamentalen Bandlücke, deren Ursache derzeit intensiv diskutiert wird. Die mikroskopische Defektstruktur des Stickstoffs, insbesondere die Wechselwirkung mit Indium, ist unklar. In diesem Vorhaben wird die FTIR-Absorptionsspektroskopie an lokalisierten Schwingungen des Stickstoffs ausgenutzt werden, um Strukturinformationen über stickstoffhaltige Komplexe in den genannten Legierungen zu gewinnen. Dazu sollen durch gezielte Implantationsexperimente mit N, B und In in Kombination mit dem Ausheilverfahren durch Blitzlampen spezifische Defekte erzeugt werden. Basierend auf der Kenntnis der isolierten Schwingungen von Stickstoff und Bor werden im ersten Schritt N-B-Wechselwirkungen untersucht werden, um zu einem Modell des Einflusses der Substitution der GaMatrixatome durch massenverschiedene Elemente auf die Schwingung des Stickstoffs zu gelangen. Im zweiten Schritt sollen dann durch Koimplantation von Stickstoff und Indium sowie durch Implantation von Stickstoff in InGaAs-Schichten N-In-Komplexe erzeugt werden, um die N-In-Wechselwirkung zu analysieren und Aussagen zum mikroskopischen Einbauverhalten des Stickstoffs im quaternären System treffen zu können.