Electron-Hole Pairs in Metal Surfaces Excited by Chemical Reactions and Inelastic Scattering (A01)

Der Nachweis elektronischer Anregungen in Metalloberflächen durch chemische Reaktionen und die Klärung der dahinter stehenden Anregungsprozesse stehen im Mittelpunkt dieses Projekts. Schottky-Dioden化学流方法将在极端温度和一种金属薄膜上进行分级，并在微结构金属薄膜上进行分级。III-V-Halbleitern的附加值可以通过Schottky-Barriere的变化来确定。在与外部组的工程合作中，也进行了非线性弛豫实验。

Der Nachweis elektronischer Anregungen in Metalloberflächen durch chemische Reaktionen und die Klärung der dahinter stehenden Anregungsprozesse stehen im Mittelpunkt dieses Projekts. Die Chemostrom-Methode mit Schottky-Dioden wird hierzu auf extrem dünne und einkristalline Metallfilme und auf mikroskopische Metallinseln angewendet. Durch Einsatz von ternären III-V-Halbleitern kann durch Variation der Schottky-Barriere eine Energie-Spektroskopie der angeregten Ladungsträger erfolgen. In enger Kooperation mit externen Gruppen sind auch Experimente zur nicht-adiabatischen Relaxation bei der Streuung vibrationsangeregter Moleküle geplant.