Spinpolarisierter Transport durch Halbleiter

在DEM Projekt中，我们研究了铁磁/Halbleiter/铁磁(FM/HL/FM)和铁磁/Halbleiter/Supraleter(FM/HL/SL)-Schichtstrukturen中的自旋输运。Für sehr kleine Halbleiterdicken，für die der microantante Transportachismus quantensiises Tunneln dech die Halbleterbarriere ist，wird der TunnelMagnelowiderStandseffeckt(TMR)analysiert.在三个月的三个月里，所有的化学都是从半个月开始的，而在半个月的时间里，所有的事情都是这样的：在半个月的时间里，你会发现所有的事情都是这样的。这是一种非常普遍的运输方式，不受盐湖的影响。他们的投资和检测是自旋偏振的，所以他们把S的研究成果付诸于实践。

In dem Projekt soll spinabhängiger Transport in Ferromagnet/Halbleiter/Ferromagnet (FM/HL/FM) und in Ferromagnet/Halbleiter/Supraleiter (FM/HL/SL) -Schichtstrukturen untersucht werden. Für sehr kleine Halbleiterdicken, für die der dominante Transportmechanismus quantenmechanisches Tunneln durch die Halbleiterbarriere ist, wird der Tunnelmagnetowiderstandseffekt (TMR) analysiert. In Erweiterung zu bisher laufenden Arbeiten soll der TMR-Effekt durch chemische Passivierung der Halbleiteroberflächen, durch Wahl einer anderen Oberflächenorientierung und durch Unterdrückung von Diffusionsprozessen (aufgrund von Hochtemperaturschritten) vergrößert und so der Einfluss von Spin-Flip Streuung auf die Spin-Injektion in Halbleitern generell untersucht werden. Durch Vergrößerung der Halbleiterschichtdicke kann der Übergang vom Tunneln zum diffusiven Transport durch den Halbleiter untersucht werden. Hierbei erfolgt Injektion und Detektion eines spinpolarisierten Stromes über Tunnelbarrieren, so dass das Modell von Fert und Jaffrès bzw. Rashba im Experiment überprüft werden kann.