Spin-dependent Spectroscopy of Electronic States in Individual and Coupled Quantum Dots (B 01)

Ziel dieses Projekts ist die Untersuchung des Wachstums und der Nanofabrikation von einzelnen und gekoppelten halbleitenden Quantenpunkten zur effektiven elektrischen Manipulation der Ladungs-träger- und Spin-Lebenszeit Charakteristik von Elektronen und Löchern.在此，我们介绍了一种新的综合方法，该方法用于控制量子点-结构，使其具有局部的平面模式和足够的中性自旋-结构，从而实现韦尔登的精确控制。这包括（i）In（Ga）As量子点在纳米结构平面衬底上的局部确定性阱和（ii）垂直集成In（Ga）As量子点的自由（In）GaAs纳米线的位置控制阱。这种量子点-结构韦尔登可以使材料的光学特性和光致发光光谱特性同时得到改善。

Ziel dieses Projekts ist die Untersuchung des Wachstums und der Nanofabrikation von einzelnen und gekoppelten halbleitenden Quantenpunkten zur effektiven elektrischen Manipulation der Ladungs-träger- und Spin-Lebenszeit Charakteristik von Elektronen und Löchern. Hier kommen hochentwickel-te Synthese Methoden zur atomar präzisen Kontrolle von Quantenpunkt-Strukturen zum Einsatz mit denen hervorragende lokale Platzierungs-Schema und damit neuartige spin-abhängige spektro-skopische Untersuchungen ermöglicht werden. Diese beinhalten (i) lokal genau definiertes Wachstum von In(Ga)As Quantenpunkten auf nanostrukturierten planaren Substraten und (ii) positions-kontrolliertes Wachstum von freistehenden (In)GaAs Nanodrähten mit vertikal integrierten In(Ga)As Quantenpunkten. An diesen Quantenpunkt-Strukturen werden sowohl gezielte material-wissenschaftliche Charakterisierung als auch Photolumineszenz-Spektroskopie Untersuchungen durchgeführt.