Conductance measurement at nanoscale using face to face dual tip Scanning Tunneling Microscopy
Conductance measurement at nanoscale using face to face dual tip Scanning Tunneling Microscopy
使用面对面双尖端扫描隧道显微镜进行纳米级电导测量
批准号：
23760032
负责人：
KUROKAWA Shu
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
中文摘要
翻译
利用扫描隧道显微镜的尖端，可以测量小物体的电导率。然而，在传统的装置中，由于“几何限制”，我们无法测量纳米尺度物体的电导。在这项调查中，我们已经证明，这种测量是可能的使用非常平坦或非常薄的样品。
英文摘要
Using very sharp tip of Scanning Tunneling Microscopy, one can measure the electric conductance of small objects. However, in conventional set up, we can’t measure the conductance of nanoscale-objects, because of “geometric restriction”. In this investigation, we have demonstrated that such measurement is possible by using very flat or very thin samples.
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Admittance of Au/1,4-benzenedithiol/Au single-molecule junctions
Au/1,4-苯二硫醇/Au 单分子结的导纳
Au/1,4-苯二硫醇/Au 单分子结的导纳
DOI：
10.1063/1.4772642
发表时间：
2012
期刊：
Appl. Phys. Lett.
影响因子：
--
作者：
[K. Yamauchi, S. Kurokawa, and A. Sakai]
通讯作者：
and A. Sakai
Formation of the nanogap applicable for direct observation of single molecule junction
适用于直接观察单分子结的纳米间隙的形成
适用于直接观察单分子结的纳米间隙的形成
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ota, S. Kurokawa, and A. Sakai]
通讯作者：
and A. Sakai
Ge 蒸着によって Si-SiO2 境界に形成されるナノギャップの STM 観察 II
Ge沉积在Si-SiO2边界形成纳米间隙的STM观察II
Ge沉积在Si-SiO2边界形成纳米间隙的STM观察II
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Haruta, K. Saura, N. Fujita, Y. Ogura, A. Ichinose, T. Maeda, S. Horii, 吉原一輝, 黒川 修,太田 靖,酒井 明]
通讯作者：
黒川 修,太田 靖,酒井 明
Ge 蒸着によってSi-SiO2 境界に形成されるナノギャップのSTM 観察II
Ge沉积在Si-SiO2边界形成纳米间隙的STM观察II
Ge沉积在Si-SiO2边界形成纳米间隙的STM观察II
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Fujita, M. Haruta, A. Ichinose, T. Maeda, S. Horii, 黒川 修]
通讯作者：
黒川 修
A novel technique to make nanogap with atomically flat electrodes
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批准号：19760023
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.25万
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财政年份：2007
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负责人：KUROKAWA Shu
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依托单位：
海外基金