A III B V-Nanodrähte und -Nanorollen

世界上最大的工程和工程的设计者Säulenförmier聚集在一起，定义了Ausdehnung，Geomrie and Anordnung zur Erzielung Spezifischer optischer and elektronischer Eigenschaften。一)金属-有机气相外延(金属-有机气相外延，MOVPE)在VLS-WACHSTUMSTUMMODUS(气-液-固)体系中的解决方案，在Nadeln的基础上，我们在Erzeugung-von-n-n-ebergängen in Erzeugung von p-n-estrukturen and der in Erzezeung von p-n-ubergängen and der in Erzeugung von p-n-Übergängen in Erzeugung von p-n-Übergängen in Erzeugung von on p-n-Übergängen in Erzezeung von p-n-Übergängen in Erzeugung von p-n-ubergängen der in Erzeugung von p-n-ubergängen in Erzeugung von p-n-ubergängen(MoVPE)soll in VLS-Wachstumsmus(VLS-Wachstummos)zur Abscheidung isung iserererter？我是一名军团成员，我是一名军团成员。Ii)在Verwendung von dünnen Plane MOVPE Mehrschichtanordnungen and der Nutzung Materalelektiverétzprozesse下进行的模具制备。新材料组合(BGA)As/(Inga)As和Ga(Nas)/(Inga)As在Verbindung MIT(Gain)P erlaben auch中定义为Spannungsverhälnisse and eine gezielte Bandlück enariation。他妈的。《成长》和《理解和解决问题的标准》是一项新的研究，主要内容如下：这是一种新型的纳米材料，也是一种新型的材料。MIT solchen Strukturen，die sowohl p-n-als auch Heteroübergänge aufweisen，soll eine zukünftige Materialgrundlage für mini aturisierte opelktronische Bauelemente erarbeitet。

Inhalt des Projektes ist die Herstellung verschiedenartiger säulenförmiger Aggregate von AIIIBV Verbindungen mit definierter Ausdehnung, Geometrie und Anordnung zur Erzielung spezifischer optischer und elektronischer Eigenschaften. Zwei unterschiedliche Herstellungsvarianten von Nanostrukturen mit pseudomorphen und spannungsarmen Heteroübergängen werden verfolgt: i) Die metallorganische Gasphasenepitaxie (metal-organic vapour-phase epitaxy, MOVPE) soll im VLS-Wachstumsmodus (vapor-liquid-solid) zur Abscheidung isolierter Säulen oder Nadeln, der Herstellung von eindimensionalen Heterostrukturen und der in situ Erzeugung von p-n-Übergängen in genannten Strukturen genutzt werden. Im Mittelpunkt der Untersuchungen stehen das Studium der VLS-Wachstumsvorgänge bei Einsatz unterschiedlicher Legierungen und der damit verbundenen Grenzflächeneigenschaften und Defektbildungen. ii) Die Präparation von AIIIBV Nanoröhren erfolgt unter Verwendung von dünnen planaren MOVPE Mehrschichtanordnungen und der Nutzung materialselektiver Ätzprozesse. Die neuartigen Materialkombinationen (BGa)As/(InGa)As und Ga(NAs)/ (InGa)As in Verbindung mit (GaIn)P erlauben auch in Doppelheterostrukturen eine definierte Einstellung der Spannungsverhältnisse und eine gezielte Bandlückenvariation. Damit soll die Bildung von Nanoröhren unterschiedlicher Struktur und Dimension ermöglicht werden. Der Bildungsvorgang von Nanoröhren während des selektiven Ätzvorganges ist Gegenstand der Untersuchungen und soll durch eine Modellierung der Veränderungen der Spannungsverhältnisse während der Rollenbildung beschrieben werden. Die Ermittlung der optischen und elektronischen Eigenschaften von unterschiedlichen eindimensionalen Nanobausteinen im Vergleich zu dreidimensionalem Material ist ein Schwerpunkt des Projektes. Mit solchen Strukturen, die sowohl p-n- als auch Heteroübergänge aufweisen, soll eine zukünftige Materialgrundlage für miniaturisierte optoelektronische Bauelemente erarbeitet werden.