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Novel etching process for graphene fabrication utilizing oxidation decomposition reaction

Novel etching process for graphene fabrication utilizing oxidation decomposition reaction
利用氧化分解反应制造石墨烯的新型蚀刻工艺
批准号:
23710137
负责人:
ISHIDA Nobuyuki
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011 至 2012

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
我们表明,石墨烯层可以从石墨中去除的一层一层的方式使用由等离子体产生的活性氧物种。然而,拉曼光谱表明通过蚀刻制造的石墨烯片的表面被氧化。对氧化分解过程的仔细检查澄清了氧化仅发生在最顶部表面。这些结果表明建立一种程序的可能性,该程序使得可以通过控制层的数量从石墨蚀刻石墨烯层。我们的下一步是找到一种方法来去除最上面的氧化石墨烯层。
英文摘要
We show that graphene layers can be removed from graphite in a layer by layer manner using reactive oxygen species generated by plasma. However, Raman spectrum suggests that the surface of a fabricated graphene sheet by the etching is oxidized. Careful inspection of the oxidation decomposition process clarifies that oxidation occur only at the top most surface. These results indicate a possibility to establish a procedure that makes it possible to etch graphene layers from graphite with controlling the number of the layers. Our next step is to find a way to remove the top most oxidized graphene layer.
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会议论文
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [Y.Matsumoto, S.Sakai, S.Entani, Y.Takagi, T.Nakagawa, H.Naramoto, P.Avramov, T.Yokoyama, Nobuyuki Ishida and Daisuke Fujita, Yoshihiro Matsumotoら, Nobuyuki Ishida and Daisuke Fujita, K. Hildら, Nobuyuki Ishida and Daisuke Fujita]
通讯作者: Nobuyuki Ishida and Daisuke Fujita
DOI: 10.1021/jp303152c
发表时间: 2012-09-27
期刊: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
影响因子: 3.7
作者: [Ishida, Nobuyuki, Fujita, Daisuke]
通讯作者: Fujita, Daisuke
Adsorption of Co-phthalocyanine on the rutile TiO2(110) surface: An STM/STS study
金红石 TiO2(110) 表面上钴酞菁的吸附:STM/STS 研究
DOI: --
发表时间: 2012
期刊:
影响因子: --
作者: [Y.Matsumoto, S.Sakai, S.Entani, Y.Takagi, T.Nakagawa, H.Naramoto, P.Avramov, T.Yokoyama, Nobuyuki Ishida and Daisuke Fujita, Yoshihiro Matsumotoら, Nobuyuki Ishida and Daisuke Fujita]
通讯作者: Nobuyuki Ishida and Daisuke Fujita
DOI: 10.1116/1.4736946
发表时间: 2012-07
期刊: Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子: --
作者: [N. Ishida;D. Fujita]
通讯作者: N. Ishida;D. Fujita
共 6 条
    Atomic-scale characterization of defects and dislocations using cross-sectional SPM: Application to GaN
    • 批准号:
      17K06366
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $3.0万
    • 财政年份:
      2017
    • 负责人:
      ISHIDA Nobuyuki
    • 依托单位:
    海外基金