Atomic-scale characterization of defects and dislocations using cross-sectional SPM: Application to GaN
Atomic-scale characterization of defects and dislocations using cross-sectional SPM: Application to GaN
使用截面 SPM 进行缺陷和位错的原子尺度表征：在 GaN 中的应用
批准号：
17K06366
负责人：
ISHIDA Nobuyuki
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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会议论文
DOI：
10.1016/j.apsusc.2017.09.124
发表时间：
2018
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
[Junsuke Yamanishi, Shigeru Iwase, Nobuyuki Ishid, and Daisuke Fujita]
通讯作者：
and Daisuke Fujita
Novel etching process for graphene fabrication utilizing oxidation decomposition reaction
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批准号：23710137
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2011
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负责人：ISHIDA Nobuyuki
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依托单位：
海外基金
