Wachstum, experimentelle Analyse und ab-initio-basierte theoretische Simulation des Einflusses von Fremdatomen auf Wachstum und Eigenschaften von Quantenpunkten

一个在量子点上的问题是，Größe和Packungsétte努尔in begrenztem Maße unabhängig voneinander kontrolliert韦尔登können。在这一点上，我们可以看到，在一个巨大的体积上，我们可以看到一个巨大的体积。die mögliche vertikale Packungsweete von aufeinanderfolgenden Lagen von Quantenpunkten）wird als Schlüssel für effiziente optoelektronische Bauelemente angesehen. Hierzu wäre es extreme interessant，extrinsische Einflussmöglichkeiten zu identifizieren，die Größe und Dichte der Quantenpunkte über einen weiten bereiche beeinflussen.一个非常古老的考古学家把“Fremdatomen”引入了上翼。在化学反应谱和离子浓度方面，Fremdatome的化学反应谱和离子浓度具有不同的上fläche、扩散屏障和上flächenmorphologie结构。在该项目中，通过结合Wachstumsexperimenten，结构和化学分析以及从头算Wachstumssimulation进行韦尔登，可以对量子点的性质和差异产生影响。在韦尔登衬底上的InAs-量子点系统是一个技术上的解决方案。在N的Fremdatom上，我们可以得到韦尔登，通过GaAs衬底的特殊结构和动力学特性的改变，以及它们对InAs量子点的核反应和核扩散的影响，并通过N量子点的结构和核扩散来实现。

Ein aktuelles Problem bei der Herstellung von Quantenpunkten ist es, dass Größe und Packungsdichte nur in begrenztem Maße unabhängig voneinander kontrolliert werden können. Insbesondere eine Erhöhung der Dichte, sowohl bezogen auf eine Schichtebene als auch auf das Volumen (d.h. die mögliche vertikale Packungsdichte von aufeinanderfolgenden Lagen von Quantenpunkten) wird als Schlüssel für effiziente optoelektronische Bauelemente angesehen. Hierzu wäre es extrem interessant, extrinsische Einflussmöglichkeiten zu identifizieren, die Größe und Dichte der Quantenpunkte über einen weiten bereiche beeinflussen. Ein vielversprechender Ansatz ist das gezielte Einbringen von 'Fremdatomen' auf die Oberfläche. Durch geschickte Wahl der chemischen Spezies und Konzentration der Fremdatome lassen sich Struktur der Oberfläche, Diffusionsbarrieren und Oberflächenmorphologie über einen weiten Bereich variieren. In diesem Projekt soll durch Kombination von Wachstumsexperimenten, struktureller und chemischer Analyse und ab-initio-basierter Wachstumssimulation untersucht werden, welchen Einfluss solche Änderungen auf Größe und Dichte von Quantenpunkten haben. Die Untersuchungen sollen am technologisch besonders gut beherrschten System von InAs-Quantenpunkten in einer GaAs-Matrix durchgeführt werden. Am Beispiel von N als Fremdatom soll untersucht werden, ob und wie diese Spezies Struktur und Kinetik der GaAsSubstratoberfläche modifiziert, welchen Einfluss sie auf Nukleationsdichte und Größenverteilung von InAs-Quantenpunkten hat und ob durch den Einbau von N Quantenpunktstapel mit verzerrungskompensierenden Barrieren realisierbar sind.