Strukturanalyse von ternären Ni-Al-Si und Ni-Ga-Si-Dünnschichtsystemen

NiSi2-xAlx-und NiSi2-xGax-Silicidschichten Auf DEM技术与Si(001)相关。Für das体积材料führt模具替代von Si Durch Al BZW。GA dazu，dass eine komplette Gitteranpassung gegenüber si erreicht wird。这是一件非常重要的事情，因为它不是所有的外延。材料体系Ni-Al-Si Nur wenige和Für das材料体系Ni-Ga-Si keine Untersusuhungen zum Wachstum dünner ternärer Schichten vor.在Ni-Al-Si和Ni-Ga-Si Dünschichtsystem的基础上，系统地研究了Ni-Al-Si和Ni-Ga-Si Dünschichtsystem e Sollen Deswegen Reaktionsverlaf and die abhän Gigkeit der Strukturellen Eigenschaften der Schichturelen von der Konzendation Requikit der Schichturelen von der Konzenturation Reductions de Schichturelen von der Konzendation Resiktion der Temperatatur Fgeklärt.硅化镍是一种新型的非晶态硅化物，其主要成分为Al BZW、Al BZW和Al BZW。

Gegenstand aktueller Forschungen ist die Aufklärung der Struktur ternärer epitaktischer NiSi2-xAlx- und NiSi2-xGax-Silicidschichten auf dem technologisch relevanten Si(001). Für das Volumenmaterial führt die Substitution von Si durch Al bzw. Ga dazu, dass eine komplette Gitteranpassung gegenüber Si erreicht wird. Das deutet auf die Möglichkeit hin, nahezu defektfreie unverspannte epitaktische NiAlxSi2-x- bzw. NiGaxSi2-x-Schichten auf Si herzustellen. Auf diesem Gebiet liegen bisher für das Materialsystem Ni-Al-Si nur wenige und für das Materialsystem Ni-Ga-Si keine Untersuchungen zum Wachstum dünner ternärer Schichten vor. Auf der Grundlage der erstmaligen systematischen Untersuchungen der ternären Ni-Al-Si und Ni-Ga-Si Dünnschichtsysteme sollen deswegen Reaktionsverlauf und die Abhängigkeit der strukturellen Eigenschaften der Schichten von der Konzentration der Substitutionselemente als Funktion der Tempertemperatur aufgeklärt werden. Insbesondere sollen die grundlegenden Aspekte des Wachstums ternärer Nickelsilicide untersucht werden, wie zum Beispiel der Einbau der Substitutionselemente Al bzw. Ga in Abhängigkeit von der Tempertemperatur, Einfluss der Substitutionselemente auf die Gitterparameter der Silicidschichten, Spannungsrelaxation durch den Einbau von Grenzflächendefekten bzw. Wirkung der Substitutionselemente bei der Änderung der Schichtmorphologie und Schichtorientierung.