Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques

Les matériaux III-V，包括Les Nitrures III-N possèden des PropriétéS Phyque Inéressantes qui leur ont Permis de Supasser le Silicium dans plsieur Applications optoélectroniques et de haits féquences.从三到五年的技术进步，从现在到现在，L的技术进步和L的技术进步都是必然的。三、三、五、三、三、四、三、三、五、三、作曲家S的作曲家们不是主要的作曲家，他们的计划是极具代表性的。所有的性能都是由性能和稳定性决定的，所有的应用程序都是如此。一个TERVERS CE节目，我是发展的过程，S的钝化，但更多的表演，以及稳定和稳健的作曲家实现的发展，苏尔和甘波莱尔。非极化(m计划)或半极化(a计划)，而非极化--N开始于社区。ILS Démontrent UN Potel加上Important Pour les Fortres Forcesputes puess/High Féquence et ILs Feront Procablement la Prochaine Génénéation de Composants III-N，Pretement Comme les晶体管Verticaux tel que Les FinFet Les晶体管as base de Nanofiles。实际元素，三-N利用这两个过程，S和倒钝化计划的标准；这是一个最好的方案必须满足最大的需求和表面的发展方向的偏振和自然的计划。Dans ce方案，我是发展的过程和S的钝化特殊和适应的S从结构垂直的贡献者和更稳定的和性能的未来作曲家的欢呼。我不是第二个人，而是一开始就是钝化和配置量化的基础。从原理上看，S的工作原理类似于HEMT AlGaAs/GaAs等材料的钝化和相关问题，L的接口不支持S。Dans ce程序，在VAX上测试晶体管(SET)中的问题。我们特别关注钝化过程中作曲的数量，以及L的信息量和未来的信息量。

Les matériaux III-V, incluant les nitrures III-N possèdent des propriétés physiques intéressantes qui leur ont permis de surpasser le silicium dans plusieurs applications optoélectroniques et de hautes fréquences. Malgré le démarrage tardif de la technologie III-N par rapport aux autres III-V, ces matériaux promettent de conquérir certains marchés de l'électronique de puissance, comme ils l'ont fait avec les DELs. Pour tirer le maximum de bénéfice des III-V/III-N et pour voir emerger des nouveaux dispositifs, il est nécessaire de développer des procédés de passivation  qui permettent de stabiliser les propriétés électroniques de leurs surfaces et interfaces et réduire la grande densité des états d'interface qui les caractérise.  L'axe principal de ce programme de recherche porte sur la passivation de composants électroniques à base de GaN. Ces composants sont en majorité réalisés sur le plan c du GaN avec une polarité- Ga. Malgré les performances démontrées par ces dispositifs, leur fiabilité et leur stabilité n'ont pas atteint le niveau requis pour leur applications en électronique de puissance. A travers ce programme, je vais développer des procédés de passivation qui permettront d'améliorer les performances,  la stabilité et la robustesse des composants actuellement développé sur le GaN polaire. Le GaN non polaire (plan m) ou semipolaire (plan a), ainsi que le GaN avec une polarité-N commencent à intéresser la communauté GaN. Ils démontrent un potentiel plus important pour les fortes puissance/haute fréquence et ils feront probablement la prochaine génération de composants III-N, exactement comme les transistors verticaux tel que les FinFET et les transistors à base de nanofils. Actuelement, la communauté III-N utilise les mêmes procédés que pour passiver le plan c du GaN standard; ce qui n'est pas nécessairement optimal puisque la chimie des surfaces dépend directement de la polarité et de la nature du plan réticulaire. Dans ce programme, je vais développer des procédés de passivation spécifiques à chaque polarité et adaptés aux structures verticales  afin de contribuer à améliorer la stabilité et les performances de ces futurs composants de puissance. Dans un axe secondaire, je vais initier des travaux de passivation pour les dispositifs quantiques à base de III-V. Ces dispositifs sont prinicipalement fabriquées avec des procédés similaires à celle du HEMT AlGaAs/GaAs et les questions relatifs à la passivation et à la qualité de l'interface n'ont pas encore été discutés. Dans ce programme, on va traiter ces questions à travers le transistor à un seul électron (SET). Nous allons particulièrement vérifier si la passivation peut réduire le bruit de charge de ce composant quantique,et si c'est le cas,ça ouvrira la porte à des recherches plus approfondies sur le sujet de la passivation des composants pour l'informatique quantique dans le futur.