Visible-blind and solar-blind ultraviolet photodiodes based on (InxGa1−x)2O3
Visible-blind and solar-blind ultraviolet photodiodes based on (InxGa1−x)2O3
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基于 (InxGa1âx)2O3 的可见光和日盲紫外光电二极管
DOI：
10.1063/1.4944860
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发表时间：
2016
影响因子：
4
通讯作者：
Z. Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Z. Zhang
在si掺杂（In{sub x}Ga{sub 1-x}）{sub 2}O{sub 3}薄膜上实现了从可见盲到太阳盲的紫外和深紫外选择性光电二极管，薄膜单调横向变化为0.0035 < x < 0.83。在脉冲激光沉积中，采用连续成分扩散方法，依靠单个分段目标的烧蚀来沉积该层。在背面照明时，光响应信号由金属-半导体-金属结构提供。随着x的增加，吸收起始值从4.83 eV调整到3.22 eV。用样品中富铟部分制备的光电二极管观察到更高的响应率，可以确定其内部增益机制。
UV and deep-UV selective photodiodes from visible-blind to solar-blind were realized based on a Si-doped (In{sub x}Ga{sub 1–x}){sub 2}O{sub 3} thin film with a monotonic lateral variation of 0.0035 < x < 0.83. Such layer was deposited by employing a continuous composition spread approach relying on the ablation of a single segmented target in pulsed-laser deposition. The photo response signal is provided from a metal-semiconductor-metal structure upon backside illumination. The absorption onset was tuned from 4.83 to 3.22 eV for increasing x. Higher responsivities were observed for photodiodes fabricated from indium-rich part of the sample, for which an internal gain mechanism could be identified.
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使用脉冲激光沉积和单个分段靶材进行连续成分扩散
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Wenckstern;Zhipeng Zhang;F. Schmidt;J. Lenzner;H. Hochmuth;M. Grundmann
通讯作者：
M. Grundmann
MOCVD 在 α-Al2O3 (0 0 0 1) 上制备的 Ga2(1−x)In2xO3 薄膜的结构和光学性质
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
Fan Yang;Jin Ma;Caina Luan;L. Kong
通讯作者：
L. Kong
- (Mg,Zn)O 合金
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Wenckstern;R. Schmidt‐Grund;C. Bundesmann;A. Müller;C. Dietrich;Marko Stölzel;M. Lange;M. Grundmann
通讯作者：
M. Grundmann
影响因子：
--
作者：
H. Wenckstern;D. Splith;A. Werner;S. Müller;M. Lorenz;M. Grundmann
通讯作者：
H. Wenckstern;D. Splith;A. Werner;S. Müller;M. Lorenz;M. Grundmann
影响因子：
4
作者：
Bierwagen, Oliver;Speck, James S.;Kobayashi, Keisuke
通讯作者：
Kobayashi, Keisuke