H-tailored surface conductivity in narrow band gap In(AsN)
H-tailored surface conductivity in narrow band gap In(AsN)
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窄带隙 In(AsN) 中 H 定制的表面电导率
DOI：
10.1063/1.4906111
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发表时间：
2015
影响因子：
4
通讯作者：
Velichko A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Velichko A
我们表明，通过控制H原子的掺入，可以在表面以下的薄通道（~ 100 nm）内增加窄带隙In（AsN）合金的n型导电性。该沟道的电子面密度很大，为100 {sup 18 }m{sup −2}，电子迁移率很高（低温和室温下μ > 0.1 m{sup 2}V{sup −1}s{sup −1}）。当H原子的入射剂量一定时，其宽度随N原子浓度的增加而减小，N原子作为H陷阱，在表面附近形成N-H施主复合物。
We show that the n-type conductivity of the narrow band gap In(AsN) alloy can be increased within a thin (∼100 nm) channel below the surface by the controlled incorporation of H-atoms. This channel has a large electron sheet density of ∼10{sup 18 }m{sup −2} and a high electron mobility (μ > 0.1 m{sup 2}V{sup −1}s{sup −1} at low and room temperature). For a fixed dose of impinging H-atoms, its width decreases with the increase in concentration of N-atoms that act as H-traps thus forming N-H donor complexes near the surface.
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