Theoretical Study of Band Structure Effects on Impact Ionization Coefficients in Wide-bandgap Semiconductors
Theoretical Study of Band Structure Effects on Impact Ionization Coefficients in Wide-bandgap Semiconductors
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宽带隙半导体能带结构对碰撞电离系数影响的理论研究
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Tsunenobu Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hajime Tanaka;Nobuya Mori;and Tsunenobu Kimoto
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4H相SiC空穴引发碰撞电离的蒙特卡罗计算
DOI：
10.1063/1.372426
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. Bellotti;H. Nilsson;K. Brennan;P. Ruden;R. Trew
通讯作者：
R. Trew
用于全带蒙特卡罗模拟的碰撞电离模型
影响因子：
3.2
作者：
Y. Kamakura;H. Mizuno;M. Yamaji;M. Morifuji;K. Taniguchi;C. Hamaguchi;T. Kunikiyo;M. Takenaka
通讯作者：
M. Takenaka
DOI：
10.1103/physrevb.59.7334
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Rott;P. Binder;N. Linder;G. Döhler
通讯作者：
G. Döhler
影响因子：
3.2
作者：
Iwata, H;Itoh, KM
通讯作者：
Itoh, KM
影响因子：
3.1
作者：
Groves, C;Ghin, R;Rees, GJ
通讯作者：
Rees, GJ