High Mobility Channel CMOS Technologies for Realizing High Performance LSI's (invited)
High Mobility Channel CMOS Technologies for Realizing High Performance LSI's (invited)
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用于实现高性能LSI的高迁移率通道CMOS技术（特邀）
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yitao Ma;Tadashi Shibata;S.Takagi
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前栅绝缘体上 InGaAs 金属绝缘体半导体场效应晶体管
影响因子：
4
作者：
Y. Urabe;M. Yokoyama;H. Takagi;T. Yasuda;N. Miyata;H. Yamada;N. Fukuhara;M. Hata;M. Takenaka;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi
影响因子：
4.9
作者：
H. Tsuchiya;A. Maenaka;T. Mori;Y. Azuma
通讯作者：
H. Tsuchiya;A. Maenaka;T. Mori;Y. Azuma
影响因子：
1.7
作者：
Takagi, S.;Tezuka, T.;Sugahara, S.
通讯作者：
Sugahara, S.
使用直接晶圆键合制造的硅上薄体 III-V-绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管
影响因子：
2.3
作者：
M. Yokoyama;T. Yasuda;H. Takagi;H. Yamada;N. Fukuhara;M. Hata;M. Sugiyama;Y. Nakano;M. Takenaka;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi