A lithographic approach for quantum dot-photonic crystal nanocavity coupling in dilute nitrides
A lithographic approach for quantum dot-photonic crystal nanocavity coupling in dilute nitrides
复制标题
稀氮化物中量子点-光子晶体纳米腔耦合的光刻方法
DOI：
10.1016/j.mee.2016.12.003
复制
发表时间：
2017
影响因子：
2.3
通讯作者：
Pettinari G
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Pettinari G
登录
查看更多内容
通过在 Ga(AsN)/GaAs 异质结构中空间选择性掺入氢来制造位点控制量子点
影响因子：
29.4
作者：
R. Trotta;A. Polimeni;F. Martelli;G. Pettinari;M. Capizzi;L. Felisari;S. Rubini;M. Francardi;A. Gerardino;P. Christianen;J. Maan
通讯作者：
J. Maan
使用 BCl3 对 GaAs 进行反应离子蚀刻
DOI：
--
发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Sonek;J. Ballantyne
通讯作者：
J. Ballantyne
利用 Ga(In)NAs 势垒层和空间层改善 1.55 μm GaInNAs/GaAs 多量子阱的光学性能
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
Huiyun Liu;M. Hopkinson;P. Navaretti;M. Gutiérrez;J. Ng;J. David
通讯作者：
J. David
宽束离子源（特邀）
DOI：
--
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Kaufman
通讯作者：
H. Kaufman
稀 III-N-V 合金中的氢效应：从缺陷工程到纳米结构
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Pettinari;M. Felici;R. Trotta;M. Capizzi;A. Polimeni
通讯作者：
A. Polimeni