Electrical observation of non-radiative recombination in Er doped Si nano-crystals during thermal quenching of intra-4f luminescence
Electrical observation of non-radiative recombination in Er doped Si nano-crystals during thermal quenching of intra-4f luminescence
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4f内发光热猝灭过程中掺铒硅纳米晶非辐射复合的电学观察
DOI：
10.7567/jjap.53.031302
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发表时间：
2014
影响因子：
1.5
通讯作者：
Ishii M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ishii M
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DOI：
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发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Komuro;Y. Aoyagi;Y. Segawa;S. Namba;A. Masuyama;A. Matsuda;Kazunobu Tanaka
通讯作者：
Kazunobu Tanaka
影响因子：
4
作者：
Fujii, M;Hayashi, S;Yamamoto, K
通讯作者：
Yamamoto, K
硅纳米晶体中热电荷“捕获-去捕获”的研究：光学特性与复阻抗谱的相关性
影响因子：
4
作者：
Ishii M
通讯作者：
Ishii M
金属有机气相外延制备掺铒In1−xGaxP的光致发光性能
DOI：
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发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
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作者：
A. J. Neuhalfen;B. Wessels
通讯作者：
B. Wessels
直接验证从 Yb 4f-壳层到 InP 主体的能量回传
DOI：
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发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Taguchi;M. Taniguchi;K. Takahei
通讯作者：
K. Takahei