A CMOS semi-distributed step attenuator with low insertion loss and low phase distortion
A CMOS semi-distributed step attenuator with low insertion loss and low phase distortion
复制标题
一种低插入损耗、低相位失真的CMOS半分布式步进衰减器
DOI：
10.1587/elex.11.20140394
复制
发表时间：
2014-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Li Zhenrong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Yanlong;Zhuang Yiqi;Li Zhenrong
采用0.18 μ mBiCMOS工艺，设计了一种具有低插入损耗和低相位失真的半分布式阶梯衰减器，该衰减器由一个0-7 dB的低插入损耗阶梯衰减器和两个：-型开关电路组成
A semi-distributed step attenuator with low insertion loss and low phase distortion is presented with 0.18 μm BiCMOS process, which is implemented with a step distributed attenuator for 0–7 dB attenuation with low insertion loss and two :-type switched re
登录
查看更多内容
影响因子：
1.5
作者：
Moon-Kyu Cho;Donghyun Baek;Jeong‐Geun Kim
通讯作者：
Moon-Kyu Cho;Donghyun Baek;Jeong‐Geun Kim
影响因子：
5.4
作者：
Min, Byung-Wook;Rebeiz, Gabriel M.
通讯作者：
Rebeiz, Gabriel M.
DOI：
10.1109/tmtt.2010.2049691
发表时间：
2010-05
影响因子：
4.3
作者：
B. Ku;Songcheol Hong
通讯作者：
B. Ku;Songcheol Hong
DOI：
10.1016/j.mejo.2014.02.013
发表时间：
2014-04
期刊：
Microelectron. J.
影响因子：
--
作者：
Yanlong Zhang;Y. Zhuang;Zhenrong Li;X. Ren;Bo Wang-;Kai Jing;Zengwei Qi
通讯作者：
Yanlong Zhang;Y. Zhuang;Zhenrong Li;X. Ren;Bo Wang-;Kai Jing;Zengwei Qi
一种小面积、低插入损耗的宽带5位CMOS步进衰减器
DOI：
10.1587/elex.11.20140216
发表时间：
2014
期刊：
Electronics Express
影响因子：
--
作者：
Zhang Yanlong;Zhuang Yiqi;Li Zhenrong
通讯作者：
Li Zhenrong