A broadband 5-bit CMOS step attenuator in small area with low insertion loss
A broadband 5-bit CMOS step attenuator in small area with low insertion loss
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一种小面积、低插入损耗的宽带5位CMOS步进衰减器
DOI：
10.1587/elex.11.20140216
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Li Zhenrong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Yanlong;Zhuang Yiqi;Li Zhenrong
本文提出了一种小面积、低插入损耗的宽带5位CMOS步进衰减器，它由三个独立的衰减模块和两个紧凑的T型衰减网络构成。其中两个独立的模块被切换：类型，另一个是桥接T型。紧凑的T型衰减网络与相邻模块共享串联支路，以减少芯片面积和插入损耗。该衰减器在5- 20 GHz工作频率范围内的最大衰减范围为0-31 dB，增益为1dB，占用的版图面积为0.44mm2。插入损耗小于8.7dB。插入幅度和相位误差的均方根值分别小于0.45 dB和5.7°。
A broadband 5-bit CMOS step attenuator in small area with low insertion loss is presented in this paper, which is implemented with three independent attenuation modules and two compact T-type attenuation networks. Two of the independent modules are switched :type, and the other is bridged-T type. The compact T-type attenuation networks share the series branches with the adjacent modules to decrease the chip area and insertion loss. The proposed attenuator has a maximum attenuation range of 0–31 dB with 1 dB-increase at the operational frequency range of 5–20GHz and consumes a layout area cost of 0.44mm2. The insertion loss is less than 8.7 dB. The RMS insertion amplitude and phase error are less than 0.45 dB and 5.7°, respectively.
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影响因子：
1.5
作者：
Moon-Kyu Cho;Donghyun Baek;Jeong‐Geun Kim
通讯作者：
Moon-Kyu Cho;Donghyun Baek;Jeong‐Geun Kim
DOI：
10.1109/tmtt.2010.2049691
发表时间：
2010-05
影响因子：
4.3
作者：
B. Ku;Songcheol Hong
通讯作者：
B. Ku;Songcheol Hong
影响因子：
5.4
作者：
H. Dogan;R. Meyer;A. Niknejad
通讯作者：
H. Dogan;R. Meyer;A. Niknejad
DOI：
10.1109/tmtt.2012.2195020
发表时间：
2012-05
影响因子：
4.3
作者：
Kiarash Gharibdoust;Naser Mousavi;M. Kalantari;Mohsen Moezzi;A. Medi
通讯作者：
Kiarash Gharibdoust;Naser Mousavi;M. Kalantari;Mohsen Moezzi;A. Medi
DOI：
10.1109/sirf.2013.6489438
发表时间：
2013-03
期刊：
2013 IEEE 13th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems
影响因子：
--
作者：
J. Bae;Jaeyoung Lee;C. Nguyen
通讯作者：
J. Bae;Jaeyoung Lee;C. Nguyen