Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels
Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels
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使用载流子传输增强通道的先进纳米 CMOS 平台
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Lu;S. Katsuki;T. Watanebe;H.Akiyama;Yoichi Hori;高木信一
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DOI：
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发表时间：
2013-06
期刊：
2013 Symposium on VLSI Technology
影响因子：
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作者：
Rui Zhang;J.C. Lin;Xiao Yu;M. Takenaka;Shinichi Takagi
通讯作者：
Rui Zhang;J.C. Lin;Xiao Yu;M. Takenaka;Shinichi Takagi
演示通过脉冲 I-V 和 NW 缩放降低 TAT，改善具有陡坡应变 Si NW TFET 的逆变器的瞬态响应
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
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作者：
L. Knoll;Q. Zhao;A. Nichau;S. Richter;G. V. Luong;S. Trellenkamp;A. Schafer;L. Selmi;K. Bourdelle;S. Mantl
通讯作者：
S. Mantl
采用等离子后氧化制造的 HfO2/Al2O3/GeOx/Ge 栅极堆栈的具有 0.7 nm 超薄 EOT 的高迁移率 Ge CMOS 器件
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Kurihara;R. Matsumoto;and T. Uyematsu;R. Zhang
通讯作者：
R. Zhang
具有应变 Si 沟道和 Si 0.5 Ge 0.5 源极的隧道场效应晶体管
DOI：
10.1109/essderc.2011.6044187
发表时间：
2011
期刊：
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影响因子：
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作者：
Qing;W. Yu;B. Zhang;M. Schmidt;S. Richter;D. Buca;J. Hartmann;R. Lupták;A. Fox;K. Bourdelle;S. Mantl
通讯作者：
S. Mantl
硅晶圆上的亚 10 纳米极薄体 InGaAs 绝缘体 MOSFET，具有超薄 $hbox{Al}_{2}hbox{O}_{3}$ 埋氧化层
影响因子：
4.9
作者：
M. Yokoyama;R. Iida;Sanghyeon Kim;N. Taoka;Y. Urabe;H. Takagi;T. Yasuda;H. Yamada;N. Fukuhara;M. Hata;M. Sugiyama;Y. Nakano;M. Takenaka;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi