Micorstuructures in the Pendio epitaxial layer of 3C-SiC on Si substrate
Micorstuructures in the Pendio epitaxial layer of 3C-SiC on Si substrate
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Si衬底上3C-SiC Pendio外延层的微结构
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S.Nishino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Shoji;M.Nakamura;K.Mitikami;T.Isshiki;S.Ohshima;S.Nishino
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Pendeo-Epitaxy - 氮化镓结构横向生长的新方法
DOI：
10.1557/proc-537-g3.38
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Zheleva;Scott A. Smith;D. Thomson;T. Gehrke;K. Linthicum;P. Rajagopal;E. Carlson;W. M. Ashmawi;R. Davis
通讯作者：
R. Davis
硅衬底上3C-SiC Pendeo外延生长的控制
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.433-436.209
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Okui;C. Jacob;Satoru Ohshima;S. Nishino
通讯作者：
S. Nishino
Si 衬底上 3C-SiC 的横向外延过度生长和 Pendeo 外延
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.245
发表时间：
2000
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
S. Saddow;G. E. Carter;B. Geil;T. Zheleva;Galyna Melnychuck;M.E. Okhuysen;M. Mazzola;R. Vispute;M. Derenge;M. Ervin;K. Jones
通讯作者：
K. Jones
Si 衬底上生长的 3C-SiC 薄膜的结晶度
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.191
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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作者：
K. Yagi;H. Nagasawa
通讯作者：
H. Nagasawa
Si 衬底上 3C-SiC 的 Pendio 外延生长
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Materials Science Forum 483-485
影响因子：
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作者：
A.Shoji;M.Nakamura;K.Mitikami;T.Isshiki;S.Ohshima;S.Nishino
通讯作者：
S.Nishino