Properties and applications of quantum dot heterostructures grown by molecular beam epitaxy
Properties and applications of quantum dot heterostructures grown by molecular beam epitaxy
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DOI：
10.1007/s11671-006-9017-5
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发表时间：
2006-07-26
影响因子：
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通讯作者：
Henini, M.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Henini, M.
当代半导体物理学的主要方向之一是生产和研究维度小于2的结构：量子线和量子点，以实现利用低维限制效应的新型器件。其中一种有前途的制造方法是使用自组织三维（3D）结构，例如3D相干岛，其通常在晶格失配系统中的异质外延生长的初始阶段期间形成。本文主要介绍了自组装量子点的结构、光学和电学性质以及器件应用，并对其中的一些基本特性进行了初步的介绍。
One of the main directions of contemporary semiconductor physics is the production and study of structures with a dimension less than two: quantum wires and quantum dots, in order to realize novel devices that make use of low-dimensional confinement effects. One of the promising fabrication methods is to use self-organized three-dimensional (3D) structures, such as 3D coherent islands, which are often formed during the initial stage of heteroepitaxial growth in lattice-mismatched systems. This article is intended to convey the flavour of the subject by focussing on the structural, optical and electronic properties and device applications of self-assembled quantum dots and to give an elementary introduction to some of the essential characteristics.
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