Gate length dependence of bias temperature instability behavior in short channel SOI MOSFETs
Gate length dependence of bias temperature instability behavior in short channel SOI MOSFETs
复制标题
短沟道 SOI MOSFET 中偏置温度不稳定性行为的栅极长度依赖性
DOI：
10.1016/j.microrel.2016.03.002
复制
发表时间：
2016-07
影响因子：
1.6
通讯作者：
Yi Zhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wangran Wu;Jiwu Lu;Chang Liu;Heng Wu;Xiaoyu Tang;Jiabao Sun;Rui Zhang;Wenjie Yu;Xi Wang;Yi Zhao
登录
查看更多内容
DOI：
10.1109/irps.2012.6241839
发表时间：
2012-04
期刊：
2012 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
影响因子：
--
作者：
B. Kaczer;Jacopo Franco;M. Toledano-Luque;Philippe Roussel;M. Bukhori;A. Asenov;B. Schwarz;M. Bina;Tibor Grasser;Guido Groeseneken
通讯作者：
B. Kaczer;Jacopo Franco;M. Toledano-Luque;Philippe Roussel;M. Bukhori;A. Asenov;B. Schwarz;M. Bina;Tibor Grasser;Guido Groeseneken
影响因子：
3.1
作者：
T. Grasser;K. Rott;H. Reisinger;M. Waltl;F. Schanovsky;B. Kaczer
通讯作者：
T. Grasser;K. Rott;H. Reisinger;M. Waltl;F. Schanovsky;B. Kaczer
影响因子：
4
作者：
J. Liao;Yean-Kuen Fang;Y. Hou;C. Hung;P. Hsu;K. Lin;K. Huang;Tze-Liang Lee;M. Liang
通讯作者：
J. Liao;Yean-Kuen Fang;Y. Hou;C. Hung;P. Hsu;K. Lin;K. Huang;Tze-Liang Lee;M. Liang
DOI：
10.1109/relphy.2008.4558911
发表时间：
2008-07
期刊：
2008 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
S. Pae;M. Agostinelli;M. Brazier;R. Chau;G. Dewey;T. Ghani;M. Hattendorf;J. Hicks;J. Kavalieros;K. Kuhn;M. Kuhn;J. Maiz;M. Metz;K. Mistry;C. Prasad;S. Ramey;A. Roskowski;J. Sandford;C. Thomas;J. Thomas;C. Wiegand;J. Wiedemer
通讯作者：
S. Pae;M. Agostinelli;M. Brazier;R. Chau;G. Dewey;T. Ghani;M. Hattendorf;J. Hicks;J. Kavalieros;K. Kuhn;M. Kuhn;J. Maiz;M. Metz;K. Mistry;C. Prasad;S. Ramey;A. Roskowski;J. Sandford;C. Thomas;J. Thomas;C. Wiegand;J. Wiedemer
DOI：
10.1109/irps.2010.5488857
发表时间：
2010-05
期刊：
2010 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
V. Huard
通讯作者：
V. Huard