Atomic Layer Deposition of HfO_2 and Si Nitride on Ge Substrates
Atomic Layer Deposition of HfO_2 and Si Nitride on Ge Substrates
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Ge基底上HfO_2和氮化硅的原子层沉积
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Anri Nakaiima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shiyang Zhu;Anri Nakaiima
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使用 Hf[N(C2H5)2]4 和 H2O 原子层沉积 HfO2
DOI：
10.1143/jjap.45.7091
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Yokoyama;Shiyang Zhu;A. Nakajima
通讯作者：
A. Nakajima
使用氮化原生氧化物栅极绝缘体的自对准锗 MOSFET
影响因子：
4.9
作者：
James J. Rosenberg;Suzanne C. Martin
通讯作者：
Suzanne C. Martin
DOI：
10.1143/jjap.42.6015
发表时间：
2003-09-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Hino, S;Nakayama, M;Tokumitsu, E
通讯作者：
Tokumitsu, E
Hf源、氧化剂和NH3/Ar等离子体对原子层沉积制备HfAlOx薄膜性能的影响
影响因子：
1.5
作者：
T. Kawahara;K. Torii;R. Mitsuhashi;A. Muto;A. Horiuchi;H. Ito;H. Kitajima
通讯作者：
H. Kitajima