Phase separations in graded-indium content InGaN/GaN multiple quantum wells and its function to high quantum efficiency
Phase separations in graded-indium content InGaN/GaN multiple quantum wells and its function to high quantum efficiency
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梯度铟含量InGaN/GaN多量子阱中的相分离及其对高量子效率的作用
DOI：
10.1088/1674-4926/33/5/053001
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发表时间：
2012-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yoon-Bong Hahn
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Eun-Kyung Suh;Hai-Joon Lee;Rak-Jun Choi;Yoon-Bong Hahn
采用光致发光（PL）、阴极发光（CL）和时间分辨发光（TRPL）技术，研究了不同铟含量的InxGa1−xN/GaN多量子阱（MQWs）的相分离。除了主要的
Phase separations have been studied for graded-indium content InxGa1−xN/GaN multiple quantum wells (MQWs) with different indium contents by means of photoluminescence (PL), cathodeluminescence (CL) and time-resolved PL (TRPL) techniques. Besides the main
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影响因子：
4
作者：
Lefebvre, P;Morel, A;Massies, J
通讯作者：
Massies, J
DOI：
10.1143/jjap.33.2453
发表时间：
1994-05-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
GUO, QX;YOSHIDA, A
通讯作者：
YOSHIDA, A
影响因子：
5.1
作者：
M. Lockrey;M. Phillips
通讯作者：
M. Lockrey;M. Phillips
影响因子：
4
作者：
Yuanping Sun;Yong‐Hoon Cho;E. Suh;H. J. Lee;R. Choi;Y. Hahn
通讯作者：
Yuanping Sun;Yong‐Hoon Cho;E. Suh;H. J. Lee;R. Choi;Y. Hahn
影响因子：
3.2
作者：
Chen, P;Chua, SJ;Miao, ZL
通讯作者：
Miao, ZL