A RHEED/MBE-STM investigation of the static and dynamic InAs(001) surface
A RHEED/MBE-STM investigation of the static and dynamic InAs(001) surface
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静态和动态 InAs(001) 表面的 RHEED/MBE-STM 研究
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2016.10.050
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发表时间：
2017
影响因子：
1.8
通讯作者：
Bomphrey J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bomphrey J
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化学束外延生长的 GaN 中氮掺入的三个生长温度依赖性区域
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
Yijun Sun;M. Yamamori;T. Egawa;H. Ishikawa
通讯作者：
H. Ishikawa
影响因子：
1.8
作者：
A. Bracker;M. Yang;B. R. Bennett;J. Culbertson;W. J. Moore
通讯作者：
A. Bracker;M. Yang;B. R. Bennett;J. Culbertson;W. J. Moore
InAsN 在 (100) InAs 基底上的 MBE 生长
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
V. Sallet;L. Largeau;O. Mauguin;L. Travers;J. Harmand
通讯作者：
J. Harmand
GaInNSb 合金中的 N 掺入以及与 GaSb 的晶格匹配
影响因子：
3.2
作者：
Ashwin M
通讯作者：
Ashwin M
影响因子：
1.6
作者：
M. Ashwin;T. Veal;J. J. Bomphrey-J.;I. Dunn;D. Walker;P. Thomas;T. Jones
通讯作者：
M. Ashwin;T. Veal;J. J. Bomphrey-J.;I. Dunn;D. Walker;P. Thomas;T. Jones