N incorporation in GaInNSb alloys and lattice matching to GaSb
N incorporation in GaInNSb alloys and lattice matching to GaSb
复制标题
GaInNSb 合金中的 N 掺入以及与 GaSb 的晶格匹配
DOI：
10.1063/1.4775745
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发表时间：
2013
影响因子：
3.2
通讯作者：
Ashwin M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ashwin M
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高质量 MBE 生长的 InNx Sb1–x 的生长和表征
DOI：
10.1002/pssr.200701035
发表时间：
2007
期刊：
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters
影响因子：
--
作者：
P. H. Jefferson;L. Buckle;David Walker;T. Veal;S. Coomber;Pam A. Thomas;Tim Ashley;Christopher McConville
通讯作者：
Christopher McConville
GaSb 上 MBE 生长的 Ga1−xInxSb (x<0.2) 的临界厚度
影响因子：
1.8
作者：
T. Nilsen;M. Breivik;E. Selvig;B. Fimland
通讯作者：
B. Fimland
影响因子：
4
作者：
Li, W;Pessa, M;Likonen, J
通讯作者：
Likonen, J
氮共振态对 GaNxAs1−x 电子结构的影响
影响因子：
2.1
作者：
A. Lindsay;E. O’Reilly
通讯作者：
E. O’Reilly
影响因子：
1.6
作者：
M. Ashwin;T. Veal;J. J. Bomphrey-J.;I. Dunn;D. Walker;P. Thomas;T. Jones
通讯作者：
M. Ashwin;T. Veal;J. J. Bomphrey-J.;I. Dunn;D. Walker;P. Thomas;T. Jones