ZnSTe Lattice-matched to GaP Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy Using ZnS Buffer Layers
ZnSTe Lattice-matched to GaP Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy Using ZnS Buffer Layers
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使用 ZnS 缓冲层通过分子束外延生长的 ZnSTe 晶格匹配 GaP 衬底
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and T. Abe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ichino;S. Kashiyama;N. Nanba;H. Hasegawa;and T. Abe
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p 型 ZnSTe:N 和 p-n 结发光二极管的分子束外延
DOI：
10.1002/pssc.201300626
发表时间：
2014
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
K. Ichino;T. Kojima;S. Obata;Takuma Kuroyanagi;Kenta Kimata;Shoichi Nakazawa;S. Kashiyama
通讯作者：
S. Kashiyama
热壁外延 ZnSTe 外延层的表征和生长
DOI：
10.1016/s0022-0248(99)00738-1
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Yu;Sungun Nam;Jongkwang Rhee;O. Byungsung;Kap;Y. Choi
通讯作者：
Y. Choi
ZnS1−xTex 和 Zn1−yMgyS1−xTex 合金的 MBE 生长和表征
影响因子：
1.8
作者：
M. Kobayashi;C. Setiagung;K. Wakao;S. Nakamura;A. Yoshikawa;Kiyoshi Takahashi
通讯作者：
Kiyoshi Takahashi
具有纳秒响应时间的基于 ZnSTe 的肖特基势垒紫外探测器
DOI：
10.1063/1.121692
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
Z. H. Ma;I. Sou;K. Wong;Z. Yang;G. Wong
通讯作者：
G. Wong
高性能ZnSTe光伏可见盲紫外探测器
DOI：
10.1063/1.120522
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Sou;C. L. Man;Z. H. Ma;Z. Yang;G. Wong
通讯作者：
G. Wong