Low-Temperature Fabrication of Wafer-Bonded Ge/Si p-i-n Photodiodes by Layer Exfoliation and Nanosecond-Pulse Laser Annealing
Low-Temperature Fabrication of Wafer-Bonded Ge/Si p-i-n Photodiodes by Layer Exfoliation and Nanosecond-Pulse Laser Annealing
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通过层剥离和纳秒脉冲激光退火低温制造晶圆键合 Ge/Si p-i-n 光电二极管
DOI：
10.1109/ted.2019.2893273
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发表时间：
2019-01
影响因子：
3.1
通讯作者：
Chen Songyan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ke Shaoying;Ye Yujie;Wu Jinyong;Liang Dongxue;Cheng Buwen;Li Zhiyong;Ruan Yujiao;Zhang Xiaoying;Huang Wei;Wang Jianyuan;Xu Jianfang;Li Cheng;Chen Songyan
我们报道了一种基于低温Ge/Si晶片键合和智能切割技术的低穿线位错密度(Td)(5 cm−2)的硅基Ge薄膜的制备方法。这种方法可以取代传统的方法。
We report a potential method for the fabrication of Si-based Ge film with low threading dislocation (TD) density (5 cm−2) based on a low-temperature Ge/Si wafer bonding and smart cut technique. This method may replace the traditio
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影响因子：
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作者：
J. Oh;J. Campbell;Shawn G. Thomas;S. Bharatan;R. Thoma;C. Jasper;Robert E. Jones;T. Zirkle
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J. Oh;J. Campbell;Shawn G. Thomas;S. Bharatan;R. Thoma;C. Jasper;Robert E. Jones;T. Zirkle
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7.6
作者：
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通讯作者：
Tan, Chuan Seng
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T. Loh;H. S. Nguyen;R. Murthy;M. Yu;W. Loh;G. Lo;N. Balasubramanian;D. Kwong;J. Wang;S. J. Lee
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T. Loh;H. S. Nguyen;R. Murthy;M. Yu;W. Loh;G. Lo;N. Balasubramanian;D. Kwong;J. Wang;S. J. Lee
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Campbell, Joe C.
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作者：
Currie, MT;Samavedam, SB;Fitzgerald, EA
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Fitzgerald, EA