A novel SiC trench MOSFET with integrated Schottky barrier diode for improved reverse recovery charge and switching loss
A novel SiC trench MOSFET with integrated Schottky barrier diode for improved reverse recovery charge and switching loss
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具有集成肖特基势垒二极管的新型 SiC 沟槽 MOSFET，可改善反向恢复电荷和开关损耗
DOI：
10.1049/pel2.12169
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发表时间：
2021-08
影响因子：
2
通讯作者：
Zhang Yuming
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu Sicheng;Tang Xiaoyan;Song Qingwen;Wang Yuehu;Bai Ruijie;Zhang Yimen;Zhang Yuming
在本文中，一种新型的碳化硅（SiC）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有改善的反向恢复电荷和开关能量损耗提出并利用伊势‐TCAD模拟研究。所提出的结构在P基极区下方的沟槽一侧壁上集成了肖特基势垒二极管，并在沟槽一侧壁上的多晶硅栅极和源极金属之间插入了较厚的氧化层。仿真结果表明，与英飞凌的CoolSiC™沟槽MOSFET相比，该器件的栅极电荷Qg降低了29.2%，从而显著提高了品质因数（罗恩，sp×Qg）。反向恢复电荷Qrr和峰值反向恢复电流IRRM分别降低了64.1%和66.0%。同时，总的开关能量损耗降低了36.7%的动态性能。
In this paper, a novel silicon carbide (SiC) trench metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) with improved reverse recovery charge and switching energy loss is proposed and investigated utilising ISE‐TCAD simulations. The proposed structure features an integrated Schottky barrier diode on one side‐wall of the trench below the P‐base region, and an inserted thicker oxide layer between the polysilicon gate and source metal on one side‐wall of the trench. The simulation results show that compared with Infineon's CoolSiC™ Trench MOSFET, the proposed device decreases the gate chargeQgby 29.2%, leading to significantly improved figures of merit (Ron,sp×Qg). The reverse recovery chargeQrrand peak reverse recovery current (IRRM) are reduced by 64.1% and 66.0%, respectively. Meanwhile, the total switching energy loss decreases 36.7% for the dynamic performance.
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DOI：
10.1002/9781118313534.ch6
发表时间：
2014-09
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
T. Kimoto;J. Cooper
通讯作者：
T. Kimoto;J. Cooper
影响因子：
4.9
作者：
Wei, Jin;Zhang, Meng;Chen, Kevin J.
通讯作者：
Chen, Kevin J.
影响因子：
3.1
作者：
Jin Wei;Meng Zhang;Huaping Jiang;Hanxing Wang;K. J. Chen
通讯作者：
Jin Wei;Meng Zhang;Huaping Jiang;Hanxing Wang;K. J. Chen
影响因子：
1.1
作者：
T. Dai;C. W. Chan;Xc Deng;Huaping Jiang;P. Gammon;M. Jennings;P. Mawby
通讯作者：
T. Dai;C. W. Chan;Xc Deng;Huaping Jiang;P. Gammon;M. Jennings;P. Mawby
DOI：
10.1587/elex.16.20181135
发表时间：
2019-02
期刊：
IEICE Electron. Express
影响因子：
--
作者：
Bo Yi;Hao Hu;Jia Lin;Junji Cheng;Haimeng Huang;M. Kong
通讯作者：
Bo Yi;Hao Hu;Jia Lin;Junji Cheng;Haimeng Huang;M. Kong