Stable multiplication gain in GaN p–i–n avalanche photodiodes with large device area
Stable multiplication gain in GaN p–i–n avalanche photodiodes with large device area
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具有大器件面积的 GaN p-i-n 雪崩光电二极管具有稳定的倍增增益
DOI：
10.1088/0022-3727/42/1/015108
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发表时间：
2009-01
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
采用金属有机化学气相沉积方法，在c平面蓝宝石衬底上制备了高质量的氮化镓薄膜，制备了可见盲p-i-n雪崩光电二极管（APDs）。由于低位错密度和精密的器件制造
Visible-blind p–i–n avalanche photodiodes (APDs) were fabricated with high-quality GaN epilayers deposited on c-plane sapphire substrates by metal-organic chemical vapour deposition. Due to low dislocation density and a sophisticated device fabrication pr
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DOI：
10.1007/978-3-642-58562-3
发表时间：
1999
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
H. Morkoç
通讯作者：
H. Morkoç
影响因子：
2.5
作者：
B. Yang;T. Li;K. Heng;C. Collins;S. Wang;J. Carrano;R. Dupuis;J. Campbell;M. Schurman;I. Ferguson
通讯作者：
B. Yang;T. Li;K. Heng;C. Collins;S. Wang;J. Carrano;R. Dupuis;J. Campbell;M. Schurman;I. Ferguson
影响因子：
3.2
作者：
Heying, B;Tarsa, EJ;Speck, JS
通讯作者：
Speck, JS
影响因子：
4
作者：
Pau, J. L.;Bayram, C.;Silversmith, D.
通讯作者：
Silversmith, D.
影响因子：
4
作者：
R. Mcclintock;J. Pau;K. Minder;C. Bayram;P. Kung;M. Razeghi
通讯作者：
R. Mcclintock;J. Pau;K. Minder;C. Bayram;P. Kung;M. Razeghi