Post metallization annealing study in La_2O_3/Ge MOS structure
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La_2O_3/Ge MOS结构金属化后退火研究
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Iwai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Song;K.Kakushima;P.Ahmet;K.Tsutsui;N.Sugii;T.Hattori;H.Iwai
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半导体-金属界面的温度依赖性生长形态：Ge/Ta(110)。
DOI：
10.1103/physrevb.32.1077
发表时间：
1985
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
--
作者：
Ruckman;del Giudice M;Weaver
通讯作者：
Weaver
基于局部凝结技术的新型应变SOI/GOI双CMOS技术
DOI：
10.1109/.2005.1469220
发表时间：
2005
期刊：
Digest of Technical Papers. 2005 Symposium on VLSI Technology, 2005.
影响因子：
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作者：
T. Tezuka;S. Nakaharai;Y. Moriyama;N. Hirashita;E. Toyoda;Naoharu Sugiyama;T. Mizuno;Shinichi Takagi
通讯作者：
Shinichi Takagi
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通讯作者：
Iwai, H.
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通讯作者：
H. Iwai
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DOI：
10.1002/pssa.2211010217
发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
I. Neizvestny