Single silicon vacancy-oxygen complex defect and variable retention time phenomenon in dynamic random access memories
Single silicon vacancy-oxygen complex defect and variable retention time phenomenon in dynamic random access memories
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动态随机存取存储器中的单硅空位-氧复合物缺陷和可变保留时间现象
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Umeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Toyota;K. lokibe;R. Koga;A. E.Engin;T. H. Kim;M. Swaminathan;梅田享英;T.Umeda
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DOI：
10.1063/1.1518563
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
Ming
影响因子：
4
作者：
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通讯作者：
UREN, MJ
硅大规模集成电路中离子注入损伤中心的电学磁共振检测
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Umeda;Y. Mochizuki;K. Okonogi;K. Hamada
通讯作者：
K. Hamada
结合 EDMR 和 TEM 测量硅亚微米器件中工艺引起的缺陷
DOI：
10.1051/epjap:2004123
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Umeda;A. Toda;Y. Mochizuki
通讯作者：
Y. Mochizuki
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影响因子：
3.1
作者：
Minchen Chang;Jengping Lin;Chao;Ruey;S. Shih;Mao;P.
通讯作者：
P.