On-site SiH4 generation using high-density microwave H2 plasma generated in narrow slit-type discharge gap

On-site SiH4 generation using high-density microwave H2 plasma generated in narrow slit-type discharge gap
复制标题

使用窄缝型放电间隙中产生的高密度微波 H2 等离子体现场生成 SiH4

DOI:
--
复制
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
K. Yasutake
K. Yasutake
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Hiromasa Ohmi;F. Shinoda;N. Takei;H. Kakiuchi;K. Yasutake

文献摘要

参考文献

相似文献

DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2012.08.015
发表时间: 2012
影响因子: 3.5
作者:
P. Mahtani;K. Leong;Bastien Jovet;D. Yeghikyan;N. Kherani
通讯作者: N. Kherani
DOI: 10.1063/1.2753675
发表时间: 2007
影响因子: 3.2
作者:
H. Ohmi;H. Kakiuchi;Yoshinori Hamaoka;K. Yasutake
通讯作者: K. Yasutake
稀有气体稀释对常压等离子体增强化学输运制备Si薄膜结构的影响
DOI: 10.1088/0022-3727/41/19/195208
发表时间: 2008
期刊: Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子: --
作者:
H. Ohmi;K. Kishimoto;H. Kakiuchi;K. Yasutake
通讯作者: K. Yasutake
DOI: 10.1103/physrevlett.51.885
发表时间: 1983
影响因子: 8.6
作者:
J. Mitchell;J. L. Forand;C. Ng;D. P. Levac;R. Mitchell;P. Mul;W. Claeys;A. Sen;J. Mcgowan
通讯作者: J. Mcgowan
DOI: 10.1116/1.2884731
发表时间: 2008
期刊: Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子: --
作者:
S. Vepřek;Chunlin Wang;M. Vepřek
通讯作者: M. Vepřek