Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics ofAlGaN/GaN short-gate HEMTs
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外延层晶体质量对AlGaN/GaN短栅HEMT直流和射频特性的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Yokoyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Shiojima;T.Makimura;T.Maruyama;T.Suemitsu;N.Shigekawa;M.Hiroki;H.Yokoyama
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通讯作者：
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DOI：
10.1587/elex.1.160
发表时间：
2004
期刊：
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影响因子：
--
作者：
K. Shiojima;S. Sugitani;N. Shigekawa
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