Room Temperature Wafer Bonding of Si and SiN by Nano-Adhesion Layer Method
Room Temperature Wafer Bonding of Si and SiN by Nano-Adhesion Layer Method
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纳米粘合层法室温晶圆键合 Si 和 SiN
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发表时间:
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期刊:
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通讯作者:
T.Suga
中科院分区:
文献类型:
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作者:
R.Kondou;C.Wang;A.Shigetou;T.Suga
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影响因子:
3.2
作者:
N. Telling;C. Faunce;M. Bonder;P. Grundy;D. G. Lord;J. Berg;S. Langridge
通讯作者:
S. Langridge
影响因子:
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作者:
M. Howlader;T. Suga;M. Kim
通讯作者:
M. Kim
影响因子:
1.5
作者:
H. Takagi;R. Maeda;N. Hosoda;T. Suga
通讯作者:
T. Suga
影响因子:
1.9
作者:
J. Haisma;B. A. Spierings;U. Biermann;A. Gorkum
通讯作者:
A. Gorkum