Dopant-Induced Random Telegraph Signal in Nanoscale pn and pin Junctions
Dopant-Induced Random Telegraph Signal in Nanoscale pn and pin Junctions
复制标题
纳米级 pn 和 pin 结中掺杂剂引起的随机电报信号
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Michiharu Tabe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sri Purwiyanti;Roland Nowak;Daniel Moraru;Takeshi Mizuno;Ryszard Jablonski;Djoko Hartanto;Michiharu Tabe
登录
查看更多内容
线性梯度二维 p-n 结
影响因子：
4
作者：
S. Petrosyan;A. Yesayan;D. Reuter;A. Wieck
通讯作者：
A. Wieck
半导体器件中突发噪声的物理模型
DOI：
--
发表时间：
1970
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. T. Hsu;R. Whittier;C. Mead
通讯作者：
C. Mead
n 型和 p 型金属氧化物半导体场效应晶体管栅极感应漏极漏电流中随机电报噪声的表征
影响因子：
4
作者：
Ju;Hyungcheol Shin;Jong
通讯作者：
Jong
影响因子：
4
作者：
R. Nowak;D. Moraru;T. Mizuno;R. Jablonski;M. Tabe
通讯作者：
R. Nowak;D. Moraru;T. Mizuno;R. Jablonski;M. Tabe
金属氧化物半导体场效应晶体管结漏电流随机电报噪声的机理
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Mori;H. Yoshimoto;K. Takeda;R. Yamada
通讯作者：
R. Yamada