Characterization of Strain for High Performance Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor
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高性能金属氧化物半导体场效应晶体管的应变表征
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Atsushi Ogurat
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Disuke Kosemura;Atsushi Ogurat
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硅基底上单层硅纳米晶体的共振拉曼散射
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Wellner;V. Paillard;H. Coffin;N. Cherkashin;C. Bonafos
通讯作者：
C. Bonafos
影响因子：
3.2
作者：
S. Takagi;J. Hoyt;J. Welser;J. Gibbons
通讯作者：
S. Takagi;J. Hoyt;J. Welser;J. Gibbons
薄表面薄膜应变硅的 X 射线消光对比形貌
影响因子：
3.2
作者：
E. S. Meieran;I. Blech
通讯作者：
I. Blech
应变硅和应变SiGe拉曼声子应变位移系数的测定
影响因子：
1.5
作者：
L. Wong;C. C. Wong;J. Liu;D. Sohn;L. Chan;L. Hsia;H. Zang;Z. Ni;Z. Shen
通讯作者：
Z. Shen
影响因子：
1.7
作者：
ENGLERT, T;ABSTREITER, G;PONTCHARRA, J
通讯作者：
PONTCHARRA, J